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单晶硅表面形貌的调控技术及其对少子寿命的影响

摘要第7-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第15-23页
    1.1 单晶硅材料特性及单晶硅电池设计第15-19页
        1.1.1 单晶硅材料的特性第15-16页
        1.1.2 单晶硅太阳能电池的设计第16-19页
    1.2 国内外研究现状第19-21页
    1.3 本课题创新点第21页
    1.4 本文主要内容第21-23页
第二章 非平衡载流子和能带理论第23-32页
    2.1 非平衡载流子的产生与复合第23-29页
        2.1.1 非平衡载流子产生第23页
        2.1.2 非平衡载流子复合第23-29页
    2.2 非平衡载流子寿命第29-30页
    2.3 能带理论第30-31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 单晶硅表面形貌对少子寿命的影响第32-49页
    3.1 表面金字塔结构对陷光效应的影响第32-40页
    3.2 表面态第40-42页
    3.3 理论分析第42-48页
    3.4 本章小结第48-49页
第四章 实验对理论分析的验证第49-78页
    4.1 硅表面的化学刻蚀机理第49-52页
    4.2 表面醇类添加剂对绒面的影响第52-67页
        4.2.1 乙醇/乙二醇/丙二醇对刻蚀形貌的影响第53-63页
        4.2.2 乙醇和乙二醇混合液对刻蚀形貌的影响第63-67页
    4.3 性能参数测量第67-70页
    4.4 形貌与少子寿命的实验探究第70-76页
    4.5 本章小结第76-78页
第五章 总结与展望第78-80页
    5.1 本文主要结论第78-79页
    5.2 未来的展望第79-80页
参考文献第80-86页
致谢第86-87页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第87页

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