| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 原位合成法在材料合成中的应用及进展 | 第12-14页 |
| 1.3 金属硫族化合物的研究进展 | 第14-24页 |
| 1.3.1 二元金属硫族化合物的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3.2 三元和多元金属硫族化合物的研究进展 | 第17-24页 |
| 1.4 本文的研究内容及创新点 | 第24-26页 |
| 第二章 实验涉及的仪器、试剂及表征手段 | 第26-29页 |
| 2.1 实验涉及的仪器设备 | 第26-27页 |
| 2.2 实验所涉及的试剂 | 第27页 |
| 2.3 表征测试详细内容 | 第27-29页 |
| 2.3.1 物相表征 | 第27页 |
| 2.3.2 形貌表征 | 第27-28页 |
| 2.3.3 组分分析 | 第28页 |
| 2.3.4 光学带隙和瞬态表面光电压谱的测定 | 第28-29页 |
| 第三章 室温原位制备三元硒硫铜化合物Cu7.2S2Se2及其性能研究 . 19 | 第29-58页 |
| 3.1 前言 | 第29-30页 |
| 3.2 以铜片作为铜源低温原位合成三元硒硫铜化合物纳米晶 | 第30-44页 |
| 3.2.1 铜片的处理 | 第30页 |
| 3.2.2 实验设计 | 第30-31页 |
| 3.2.3 结果讨论 | 第31-44页 |
| 3.3 以微米级铜粉作为铜源低温原位合成三元硒硫铜化合物 | 第44-50页 |
| 3.3.1 实验设计 | 第44页 |
| 3.3.2 结果讨论 | 第44-50页 |
| 3.4 以纳米级铜作为铜源低温原位合成三元硒硫铜化合物 | 第50-53页 |
| 3.4.1 实验设计 | 第50页 |
| 3.4.2 结果讨论 | 第50-53页 |
| 3.5 以溅射的单质金属铜薄膜作为铜源低温原位合成三元硒硫铜化合物光电薄膜 | 第53-56页 |
| 3.6 以电镀的单质铜薄膜作为铜源低温原位合成三元硒硫铜化合物光电薄膜 | 第56-57页 |
| 3.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 室温原位合成二元硒化银化合物和三元铜银化合物及性能研究 | 第58-75页 |
| 4.1 前言 | 第58页 |
| 4.2 室温原位合成二元硒化银 | 第58-67页 |
| 4.2.1 硅片的处理 | 第58-59页 |
| 4.2.2 单质银薄膜的制备 | 第59页 |
| 4.2.3 二元硒化银化合物薄膜的制备 | 第59页 |
| 4.2.4 结果与讨论 | 第59-67页 |
| 4.4 室温原位合成三元硒化铜银 | 第67-74页 |
| 4.4.1 铜银合金片的处理 | 第67页 |
| 4.4.2 三元硒化铜银薄膜的制备 | 第67页 |
| 4.4.3 结果与讨论 | 第67-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论和展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 硕士期间成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
