| 目录 | 第5-8页 |
| Table of Cotents | 第8-11页 |
| 摘要 | 第11-13页 |
| Abstract | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-39页 |
| §1.1 电化学传感器的现状与发展 | 第15-17页 |
| §1.2 微电极阵列基础及其应用 | 第17-29页 |
| §1.2.1 微电极阵列基础 | 第17-23页 |
| §1.2.2 微电极阵列制备及表征 | 第23-28页 |
| §1.2.3 微电极阵列在电化学传感中的应用 | 第28-29页 |
| §1.3 电化学检测方法 | 第29-31页 |
| §1.3.1 电化学检测简介 | 第29-30页 |
| §1.3.2 电化学检测方法的发展 | 第30-31页 |
| §1.4 本论文的研究目的和内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 实验 | 第39-52页 |
| §2.1 实验试剂和实验材料 | 第39-40页 |
| §2.2 电化学实验电极和电解池 | 第40-43页 |
| §2.2.1 电化学实验电极 | 第40-42页 |
| §2.2.2 电解池 | 第42-43页 |
| §2.3 电化学实验方法和实验仪器 | 第43-51页 |
| §2.3.1 电化学实验方法 | 第43页 |
| §2.3.2 实验仪器 | 第43-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 复合微电极阵列的制备 | 第52-74页 |
| §3.1 电极结构的设计 | 第52-54页 |
| §3.2 微机电系统加工电极流程 | 第54-66页 |
| §3.2.1 基底的清洗和热氧化处理 | 第54-56页 |
| §3.2.2 金属膜生长工艺 | 第56页 |
| §3.2.3 光刻工艺 | 第56-60页 |
| §3.2.4 电极绝缘工艺 | 第60-63页 |
| §3.2.5 刻蚀和腐蚀工艺 | 第63-66页 |
| §3.3 平面-带-凹微盘阵列电极的制备 | 第66-70页 |
| §3.3.1 平面-带-凹微盘阵列电极掩膜板的设计 | 第66-67页 |
| §3.3.2 平面-带-凹微盘阵列电极的光刻微加工 | 第67-70页 |
| §3.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第四章 基于平面-带-凹微盘阵列电极的电化学检测 | 第74-99页 |
| §4.1 平面-带-凹微盘阵列电极的表征 | 第74-81页 |
| §4.1.1 物理形貌表征 | 第74-77页 |
| §4.1.2 电化学表征 | 第77-81页 |
| §4.2 平面-带-凹微盘阵列电极分离电位法选择性检测 | 第81-87页 |
| §4.2.1 多巴胺、抗坏血酸在Au电极上的电化学行为 | 第83-84页 |
| §4.2.2 抗坏血酸干扰物存在下多巴胺的选择性检测 | 第84-87页 |
| §4.3 平面-带-凹微盘阵列电极氧化-还原法选择性检测 | 第87-94页 |
| §4.3.1 氧化-还原法的理论模拟 | 第88-89页 |
| §4.3.2 氧化-还原法选择性检测有抗坏血酸干扰的多巴胺 | 第89-94页 |
| §4.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第五章 基于电极扩散层内的选择性检测 | 第99-112页 |
| §5.1 扩散层内氧化-快速伏安法选择性检测原理 | 第99-101页 |
| §5.2 氧化-快速伏安法检测多巴胺 | 第101-108页 |
| §5.2.1 多巴胺和抗坏血酸在玻碳电极上的电化学行为 | 第101-103页 |
| §5.2.2 阶跃电位对多巴胺检测的影响 | 第103-104页 |
| §5.2.3 阶跃时间对检测影响 | 第104-105页 |
| §5.2.4 扫描速度对检测的影响 | 第105-106页 |
| §5.2.5 抗坏血酸干扰的多巴胺体系选择性检测 | 第106-108页 |
| §5.3 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-112页 |
| 在学期间发表的论文 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
