| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题的来源及研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 NAND Flash发展现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 Flash存储器结构和原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Flash存储器分类 | 第11-13页 |
| 1.2.3 NAND Flash存储器管理算法和管理结构 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状和分析 | 第14-17页 |
| 1.3.1 NAND Flash坏块管理算法国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.2 NAND Flash坏块管理算法国外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 主要研究内容及论文结构 | 第17-19页 |
| 第2章 坏块管理算法总体方案设计 | 第19-29页 |
| 2.1 NAND Flash坏块管理简介和设计目标 | 第19-22页 |
| 2.1.1 坏块的识别方法 | 第19-20页 |
| 2.1.2 坏块管理的一般方法 | 第20-21页 |
| 2.1.3 坏块管理的设计目标 | 第21-22页 |
| 2.2 总体方案设计 | 第22-23页 |
| 2.2.1 设计原则 | 第22页 |
| 2.2.2 总体方案 | 第22-23页 |
| 2.3 实现方案选择及介绍 | 第23-27页 |
| 2.3.1 Zynq及其开发流程简介 | 第23-25页 |
| 2.3.2 NAND Flash算法验证平台介绍 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 HAL层静态坏块管理逻辑设计 | 第29-41页 |
| 3.1 HAL层静态坏块管理逻辑总体框架 | 第29-30页 |
| 3.2 HAL层静态坏块管理坏块信息表设计 | 第30-31页 |
| 3.3 HAL层静态坏块管理各功能模块逻辑设计 | 第31-36页 |
| 3.3.1 初始化模块的实现 | 第31-33页 |
| 3.3.2 控制器模块的实现 | 第33-35页 |
| 3.3.3 滞后回写模块的实现 | 第35-36页 |
| 3.4 HAL层静态坏块管理逻辑测试 | 第36-40页 |
| 3.4.1 HAL层静态坏块管理模块功能测试 | 第36-39页 |
| 3.4.2 HAL层静态坏块管理模块执行效率测试 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 FTL层动态坏块管理策略方案设计 | 第41-59页 |
| 4.1 FTL层PGMS策略技术简介 | 第41-46页 |
| 4.1.1 NAND Flash错误发生机制 | 第41-43页 |
| 4.1.2 ECC算法局限性 | 第43-44页 |
| 4.1.3 块内页可靠性差异 | 第44-46页 |
| 4.2 FTL层PGMS策略 | 第46-51页 |
| 4.2.1 PGMS策略读操作 | 第46-48页 |
| 4.2.2 PGMS策略写操作 | 第48-49页 |
| 4.2.3 改进的CT-PGMS策略 | 第49-50页 |
| 4.2.4 PGMS策略对存储器读写性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 FTL层PGMS策略性能测试 | 第51-57页 |
| 4.3.1 PGMS策略寿命增长影响评估 | 第51-55页 |
| 4.3.2 PGMS策略I/O读写性能影响评估 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
