| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 第1节 铋的晶体和电子结构 | 第8-10页 |
| 第2节 铋薄膜的半金属到半导体转变 | 第10-12页 |
| 第3节 半金属到半导体转变的实验验证 | 第12-17页 |
| 3.1. 铋薄膜的输运性质 | 第12-13页 |
| 3.2. 铋薄膜的能带结构测量 | 第13-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 实验设备和方法 | 第20-28页 |
| 第1节 超高真空分子束外延设备 | 第20-21页 |
| 第2节 微加工工艺 | 第21-23页 |
| 第3节 物性测量系统(PPMS) | 第23-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 铋薄膜在氟化钡(111)面上的生长及结构研究 | 第28-38页 |
| 第1节 前言 | 第28页 |
| 第2节 样品生长 | 第28-29页 |
| 第3节 铋薄膜的结构及其演化 | 第29-33页 |
| 第4节 结论 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第四章 铋薄膜的半金属到半导体转变 | 第38-58页 |
| 第1节 前言 | 第38-39页 |
| 第2节 铋薄膜内的半导体相 | 第39-42页 |
| 第3节 金属性的表面态和薄膜内部的半导体 | 第42-46页 |
| 3.1. 电阻随温度的非单调变化趋势 | 第42-43页 |
| 3.2. 电阻极值的温度与膜厚的定量关系 | 第43-46页 |
| 第4节 半金属到半导体的转变点 | 第46-48页 |
| 第5节 铋薄膜的霍尔效应 | 第48-55页 |
| 5.1. 霍尔效应的“双电流”模型 | 第49-51页 |
| 5.2. 表回态相体内部分的载流于类型及浓度 | 第51-53页 |
| 5.3. 转变点附近的铋薄膜的霍尔效应 | 第53-55页 |
| 第6节 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 铋薄膜在低温强磁场下的Shubnikov-de Haas振荡 | 第58-66页 |
| 第1节 前言 | 第58-60页 |
| 第2节 实验和结果 | 第60-63页 |
| 2.1. 横向电阻R_(xy) | 第60页 |
| 2.2. Shubnikov-de Haas振荡 | 第60-63页 |
| 第3节 总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第六章 原位输运测量系统设计与搭建 | 第66-76页 |
| 第1节 前言 | 第66页 |
| 第2节 设计和搭建 | 第66-69页 |
| 第3节 各向异性磁电阻测量 | 第69-73页 |
| 第4节 总结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 发表文章 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |