基于可调纳秒脉冲LD的激光引信接收机测试光源系统研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 激光引信在军事领域的应用 | 第9-12页 |
| 1.3 本课题的提出 | 第12-13页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 激光引信接收机测试光源系统需求分析及设计 | 第14-23页 |
| 2.1 激光引信的工作原理 | 第14-19页 |
| 2.1.1 几何截断定距 | 第14-16页 |
| 2.1.2 距离选通定距 | 第16-18页 |
| 2.1.3 脉冲鉴相定距 | 第18-19页 |
| 2.2 激光引信接收机测试光源系统技术指标及分析 | 第19-21页 |
| 2.3 激光引信接收机测试光源系统总体设计 | 第21-23页 |
| 第三章 脉冲LD的选择与特性测试 | 第23-28页 |
| 3.1 半导体激光器基本原理 | 第23页 |
| 3.2 脉冲LD的选择 | 第23-24页 |
| 3.3 半导体激光器的特性 | 第24-28页 |
| 3.3.1 半导体激光器的I-V特性 | 第24-25页 |
| 3.3.2 脉冲LD峰值功率与电流的关系 | 第25-26页 |
| 3.3.3 半导体激光器使用注意事项 | 第26-28页 |
| 第四章 可调纳秒脉冲LD电源的研究 | 第28-58页 |
| 4.1 可调纳秒脉冲LD电源技术指标 | 第28页 |
| 4.2 可调纳秒脉冲LD电源模型的建立与分析 | 第28-34页 |
| 4.2.1 脉冲LD电源模型及寄生电感估算理论 | 第28-32页 |
| 4.2.2 开关元件的对比 | 第32-34页 |
| 4.3 可调纳秒脉冲LD电源实验方案 | 第34-35页 |
| 4.4 VMOSFET及其驱动 | 第35-49页 |
| 4.4.1 VMOSFET工作原理及特性 | 第35-37页 |
| 4.4.2 VMOSFET开关过程的分析 | 第37-43页 |
| 4.4.3 VMOSFET的驱动 | 第43-45页 |
| 4.4.4 VMOS驱动的实验研究 | 第45-46页 |
| 4.4.5 VMOS开关对比实验 | 第46-49页 |
| 4.5 PCB布线与寄生电感 | 第49-53页 |
| 4.5.1 脉冲LD电源高频特性研究 | 第49-51页 |
| 4.5.2 脉冲LD电源布线方法总结 | 第51-52页 |
| 4.5.3 寄生电感产生振荡 | 第52页 |
| 4.5.4 LD引线电感对波形的影响 | 第52-53页 |
| 4.6 脉冲LD电源实验结果分析 | 第53-58页 |
| 第五章 光束整形系统 | 第58-62页 |
| 5.1 线阵LD光束的特点 | 第58-59页 |
| 5.2 光束整形系统的设计要求 | 第59-60页 |
| 5.3 光学整形系统方案及结果 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
