| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 相变存储器 | 第9-13页 |
| 1.1.1 相变存储器的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 相变存储器的工作原理 | 第10-12页 |
| 1.1.3 提高相变存储器的性能 | 第12-13页 |
| 1.2 相变材料 | 第13-15页 |
| 1.2.1 相变材料简介 | 第13页 |
| 1.2.2 相变材料应具有的特性 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 相变材料SbTe和InSbTe的研究 | 第18-35页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 薄膜的制备及其结构性质 | 第18-21页 |
| 2.2.1 薄膜的制备 | 第18-19页 |
| 2.2.2 SbTe材料XPS分析 | 第19-21页 |
| 2.2.3 SbTe材料XRD分析 | 第21页 |
| 2.3 SbTe材料的光学特性 | 第21-25页 |
| 2.3.1 SbTe材料的透射谱分析 | 第22-23页 |
| 2.3.2 光学带隙的估算 | 第23-25页 |
| 2.4 InSbTe与SbTe热致相变过程的对比 | 第25-26页 |
| 2.4.1 InSbTe与SbTe的热致相变过程 | 第25-26页 |
| 2.4.2 材料相变过程的分析对比 | 第26页 |
| 2.5 SbTe与InSbTe材料结晶激活能的比较 | 第26-32页 |
| 2.5.1 对SbTe的分析研究 | 第27-29页 |
| 2.5.2 对InSbTe的分析研究 | 第29-31页 |
| 2.5.3 结晶激活能的对比分析 | 第31-32页 |
| 2.6 小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 GST与Si掺杂GST材料的研究 | 第35-56页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 GST(225)材料热致相变过程研究 | 第35-39页 |
| 3.2.1 GST(225)热致相变过程 | 第35-36页 |
| 3.2.2 分析与讨论 | 第36-39页 |
| 3.3 GST与不同比例Si掺杂GST材料的热致相变过程 | 第39-41页 |
| 3.3.1 GST与Si掺杂GST材料热致相变过程的对比 | 第39-40页 |
| 3.3.2 分析与讨论 | 第40-41页 |
| 3.4 GST以及Si掺杂GST材料的结晶激活能 | 第41-49页 |
| 3.4.1 GST以及Si掺杂GST材料的结晶激活能的计算和分析 | 第41-48页 |
| 3.4.2 结晶激活能的比较 | 第48-49页 |
| 3.5 不同比例Si掺杂GST材料的数据保持时间 | 第49-52页 |
| 3.5.1 Si掺杂GST材料对数据的保持曲线 | 第50-51页 |
| 3.5.2 Si掺杂GST材料的数据保持时间 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
