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p型半导体氧化物微纳材料及光电器件研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-45页
    1.1 课题研究背景及意义第11-13页
    1.2 ZnO材料的p型掺杂的方法及存在问题第13-21页
    1.3 p-CuGaO_2材料研究的进展及意义第21-24页
    1.4 氧化锌微纳米材料p-n结型器件的研究进展及意义第24-39页
    1.5 p-CuGaO_2/n-ZnO基p-n结型器件的研究进展及意义第39-43页
    1.6 本论文选题的依据及主要内容第43-45页
第2章 微纳米结构的制备方法及常用表征手段第45-61页
    2.1 微纳米结构的制备方法第45-51页
    2.2 器件制备工艺第51-52页
    2.3 微纳米材料常用表征手段第52-59页
    2.4 小结第59-61页
第3章 ZnO微米线紫外探测器研究第61-85页
    3.1 ZnO微米线制备和表征第63-68页
    3.3 ZnO微米线p型掺杂的方法及形貌表征第68-72页
    3.4 ZnO微米线光致发光特性研究第72-76页
    3.5 ZnO微米线紫外探测器的制备及性能测试第76-83页
    3.6 小结第83-85页
第4章 CuGaO_2纳米片/ZnO复合p-n结的制备表征及性能研究第85-109页
    4.1 CuGaO_2纳米片的制备及表征第85-94页
    4.3 p-CuGaO_2纳米片/与n-ZnO材料构造p-n结的方法及表征第94-103页
    4.4 CuGaO_2纳米片/ZnO纳米颗粒p-n结复合材料光催化性能研究第103-107页
    4.5 小结第107-109页
第5章 结论与展望第109-111页
    5.1 结论第109-110页
    5.2 展望第110-111页
参考文献第111-129页
在学期间学术成果情况第129-130页
指导教师及作者简介第130-131页
致谢第131页

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