| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 存储材料的研究现状及未来发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.2 存储材料的器件结构介绍 | 第14-17页 |
| 1.3 有机电存储材料的机理介绍 | 第17-23页 |
| 1.3.1 电荷转移机理 | 第18-19页 |
| 1.3.2 陷阱理论机理 | 第19-20页 |
| 1.3.3 分子构型转变或相变机理 | 第20-21页 |
| 1.3.4 氧化还原机理 | 第21-22页 |
| 1.3.5 导电细丝机理 | 第22页 |
| 1.3.6 离子导通机理 | 第22-23页 |
| 1.4 电存储材料的种类 | 第23-33页 |
| 1.4.1 掺杂的电存储材料体系 | 第23-24页 |
| 1.4.2 聚合物电存储材料 | 第24-26页 |
| 1.4.3 共轭小分子材料 | 第26-28页 |
| 1.4.4 其它类型的电存储材料 | 第28-33页 |
| 1.5 本论文的目的意义及研究内容 | 第33-37页 |
| 1.5.1 本论文选题的目的意义 | 第33页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第33-35页 |
| 1.5.3 本论文的创新点 | 第35-37页 |
| 第二章 位置异构诱导的分子有序排列及其多进制存储行为研究 | 第37-56页 |
| 2.1 引言 | 第37-39页 |
| 2.2 实验部分 | 第39-42页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第39页 |
| 2.2.2 分子的合成 | 第39-41页 |
| 2.2.3 电存储器件的制备 | 第41页 |
| 2.2.4 测试及表征 | 第41-42页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第42-55页 |
| 2.3.1 热稳定性 | 第42页 |
| 2.3.2 光物理性质 | 第42-43页 |
| 2.3.3 电化学性质 | 第43页 |
| 2.3.4 单晶结构和分子堆积 | 第43-45页 |
| 2.3.5 薄膜表面形貌和内部堆积 | 第45-48页 |
| 2.3.6 器件的电流-电压曲线 | 第48-52页 |
| 2.3.7 理论计算 | 第52-53页 |
| 2.3.8 衰减全反射显微红外测试 | 第53-55页 |
| 2.3.9 存储机制 | 第55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 通过调控新型基于邻氟偶氮苯骨架有机小分子的对称性和极性对电存储性能的研究 | 第56-73页 |
| 3.1 引言 | 第56-58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-61页 |
| 3.2.1 原料与试剂 | 第58页 |
| 3.2.2 化合物的合成步骤 | 第58-60页 |
| 3.2.3 电存储器件制备 | 第60页 |
| 3.2.4 测试及表征 | 第60-61页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第61-72页 |
| 3.3.1 共热稳定性 | 第61-62页 |
| 3.3.2 光物理性质 | 第62-63页 |
| 3.3.3 电化学测试 | 第63-64页 |
| 3.3.4 薄膜表面形貌和内部堆积 | 第64-65页 |
| 3.3.5 器件的电流-电压曲线 | 第65-69页 |
| 3.3.6 数据拟合 | 第69页 |
| 3.3.7 理论计算 | 第69-72页 |
| 3.3.8 机理解释 | 第72页 |
| 3.4 小结 | 第72-73页 |
| 第四章成盐化诱导电荷转移效应对基于偶氮衍生物阻抗式存储器性能的研究 | 第73-84页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 实验部分 | 第74-76页 |
| 4.2.1 原料与试剂 | 第74页 |
| 4.2.2 目标化合物的合成 | 第74-75页 |
| 4.2.3 电存储器件的制备 | 第75页 |
| 4.2.4 测试及表征 | 第75-76页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第76-83页 |
| 4.3.1 热稳定性 | 第76页 |
| 4.3.2 光物理性质 | 第76-77页 |
| 4.3.3 电化学性质 | 第77-78页 |
| 4.3.4 薄膜表面形貌和堆积 | 第78-79页 |
| 4.3.5 电流-电压性能测试 | 第79-80页 |
| 4.3.6 可能机理解释 | 第80-81页 |
| 4.3.7 理论计算 | 第81-83页 |
| 4.4 小结 | 第83-84页 |
| 第五章 氟取代吩嗪衍生物的合成和存储性能研究 | 第84-97页 |
| 5.1 引言 | 第84-85页 |
| 5.2 实验部分 | 第85-88页 |
| 5.2.1 实验原料与试剂 | 第85页 |
| 5.2.2 测试方法 | 第85-86页 |
| 5.2.3 化合物的合成步骤 | 第86-88页 |
| 5.2.4 存储器件的制备 | 第88页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第88-95页 |
| 5.3.1 光学和电学性能 | 第88-91页 |
| 5.3.2 单晶结构和分子堆积排列 | 第91-92页 |
| 5.3.3 薄膜形貌 | 第92-93页 |
| 5.3.4 电流-电压（I-V）性能测试 | 第93-95页 |
| 5.3.5 理论计算和机理解释 | 第95页 |
| 5.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 全文总结 | 第97-99页 |
| 6.1 全文总结 | 第97页 |
| 6.2 高密度数据存储发展展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-117页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
