| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-13页 |
| 2 绪论 | 第13-48页 |
| 2.1 可控核聚变的发展背景 | 第13-15页 |
| 2.2 Li/V自冷系统包层 | 第15-17页 |
| 2.3 Li/V包层存在的问题 | 第17-27页 |
| 2.3.1 MHD压降 | 第17-21页 |
| 2.3.2 氚在包层结构材料中的渗透 | 第21-27页 |
| 2.4 绝缘涂层材料的研究现状 | 第27-36页 |
| 2.4.1 候选绝缘涂层材料的研究现状 | 第28-34页 |
| 2.4.2 复合绝缘涂层的研究现状 | 第34-36页 |
| 2.5 阻氚涂层的研究现状 | 第36-40页 |
| 2.5.1 涂层阻氚性能的评价和要求 | 第36页 |
| 2.5.2 一些候选材料的阻氢能力 | 第36-40页 |
| 2.6 Ti/AlN复合涂层的设计 | 第40-47页 |
| 2.6.1 选择AlN作为表层绝缘层 | 第40-41页 |
| 2.6.2 中间层金属的选择 | 第41-47页 |
| 2.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 3 研究内容与实验方案 | 第48-59页 |
| 3.1 研究内容 | 第48-49页 |
| 3.2 实验方案 | 第49-54页 |
| 3.2.1 V4Cr4Ti/Ti热锻扩散连接研究 | 第49-51页 |
| 3.2.2 V-Ti、Ti-Al热压实验和Al基的氮化实验 | 第51-53页 |
| 3.2.3 Ti/AlN涂层的制备与热处理 | 第53-54页 |
| 3.3 实验设备 | 第54-59页 |
| 4 V4Cr4Ti-Ti扩散连接实验 | 第59-69页 |
| 4.1 V4Cr4Ti/Ti扩散界面的观察与分析 | 第59-65页 |
| 4.2 V4Cr4Ti-Ti扩散界面的剪切实验 | 第65-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 5 V/Ti/AlN复合涂层的制备 | 第69-88页 |
| 5.1 V-Ti热压连接实验 | 第69-79页 |
| 5.1.1 V-Ti热压实验结果分析 | 第69-77页 |
| 5.1.2 V/Ti扩散界面的生长动力学 | 第77-79页 |
| 5.2 Ti-Al真空热压实验 | 第79-84页 |
| 5.2.1 Ti-Al热压实验结果分析 | 第79-84页 |
| 5.2.2 Ti/Al反应层的生长动力学 | 第84页 |
| 5.3 Al基的表面氮化实验 | 第84-87页 |
| 5.4 小结 | 第87-88页 |
| 6 Ti/AlN复合涂层的界面反应与阻氘性能研究 | 第88-105页 |
| 6.1 316L/Ti/AlN结构复合涂层的热处理与渗氘实验 | 第88-95页 |
| 6.1.1 316L/Ti/AlN结构复合涂层的形貌与结构 | 第88-91页 |
| 6.1.2 316L/Ti/AlN结构复合涂层的热处理 | 第91-93页 |
| 6.1.3 316L/Ti/AlN结构复合涂层的阻氘性能研究 | 第93-95页 |
| 6.2 316L/Ti/AlN/Ti/AlN结构复合涂层的热处理与渗氘实验 | 第95-103页 |
| 6.2.1 316L/Ti/AlN/Ti/AlN结构复合涂层的形貌与结构 | 第95-97页 |
| 6.2.2 316L/Ti/AlN/Ti/AlN结构复合涂层的热处理 | 第97-100页 |
| 6.2.3 316L/Ti/AlN/Ti/AlN结构复合涂层的阻氘性能研究 | 第100-103页 |
| 6.3 本章小结 | 第103-105页 |
| 7 结论 | 第105-107页 |
| 8 本研究的创新点 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-124页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第124-128页 |
| 学位论文数据集 | 第128页 |
