| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·二氧化铈简介 | 第10-11页 |
| ·二氧化铈薄膜的应用 | 第11-13页 |
| ·微电子用功能薄膜材料 | 第11-12页 |
| ·功能薄膜的缓冲层材料 | 第12-13页 |
| ·光学薄膜材料 | 第13页 |
| ·CeO_2薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第14页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第14页 |
| ·磁控溅射(Sputtering) | 第14-15页 |
| ·原子层沉积(ALD) | 第15页 |
| ·电子束蒸发(E-Beam Evaparation) | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第16页 |
| ·PLD方法制备CeO_2薄膜的研究现状 | 第16-18页 |
| ·论文研究内容及意义 | 第18-20页 |
| ·研究的目的及意义 | 第18-19页 |
| ·研究目标及主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜的制备方法与表征技术 | 第20-26页 |
| ·论文使用的沉积方法 | 第20-22页 |
| ·二氧化铈薄膜的表征 | 第22-26页 |
| ·薄膜的结构与形貌表征 | 第22-24页 |
| ·薄膜的电性能测试 | 第24-25页 |
| ·薄膜光学性能测试 | 第25-26页 |
| 第三章 Si(100)衬底上氧化铈薄膜的制备与表征 | 第26-44页 |
| ·实验方法 | 第26-28页 |
| ·靶材制备 | 第26页 |
| ·衬底清洗 | 第26-27页 |
| ·CeO_2薄膜的生长 | 第27-28页 |
| ·薄膜的分析与表征 | 第28页 |
| ·CeO_2薄膜在Si(100)衬底上的生长与物相结构 | 第28-36页 |
| ·薄膜晶体结构的XRD表征 | 第28-32页 |
| ·薄膜表面结构的RHEED表征 | 第32-34页 |
| ·薄膜表面形貌AFM表征 | 第34-35页 |
| ·薄膜样品断面的HRTEM表征 | 第35-36页 |
| ·薄膜的电性能表征 | 第36-41页 |
| ·不同衬底温度下薄膜的C-V、I-V测试 | 第37-39页 |
| ·不同沉积气压下薄膜的C-V、I-V测试 | 第39-41页 |
| ·薄膜光学性能 | 第41-42页 |
| 小结 | 第42-44页 |
| 第四章 Si(111)衬底上氧化铈薄膜的制备与表征 | 第44-50页 |
| ·CeO_2薄膜在Si(111)衬底上的生长与物相结构 | 第44-45页 |
| ·靶材制备 | 第44页 |
| ·衬底清洗与薄膜制备 | 第44-45页 |
| ·CeO_2薄膜在Si(111)衬底上的生长与物相结构 | 第45-48页 |
| ·薄膜晶体结构XRD表征 | 第45-46页 |
| ·薄膜表面结构RHEED表征 | 第46-47页 |
| ·薄膜样品断面的HRTEM表征 | 第47-48页 |
| ·薄膜的电性能表征 | 第48-49页 |
| 小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 在学研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
