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钛合金电子束快速成形缺陷形成机理研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-15页
    1.1 研究背景与意义第9-10页
    1.2 电子束快速成形技术的特点第10-11页
    1.3 电子束快速成形技术研究第11-14页
    1.4 本文主要研究内容和目标第14-15页
2 实验材料及研究方法第15-18页
    2.1 实验材料第15页
    2.2 电子束快速成形实验第15-16页
    2.3 金相观察实验第16-17页
    2.4 扫描电子显微镜实验第17页
    2.5 能谱成分分析第17-18页
3 电子束快速成形未熔合缺陷形成机理研究第18-42页
    3.1 前言第18页
    3.2 未熔合缺陷检测第18页
    3.3 未熔合缺陷形成模式第18-22页
    3.4 未熔合缺陷形成机理第22页
    3.5 未熔合数值模型第22-32页
    3.6 未熔合数值模拟研究第32-40页
    3.7 抑制未熔合缺陷的措施第40-41页
    3.8 本章小结第41-42页
4 电子束快速成形气孔缺陷形成机理研究第42-57页
    4.1 前言第42页
    4.2 气孔缺陷表征第42-44页
    4.3 气孔形成机理分析第44-55页
    4.4 抑制气孔缺陷的措施第55-56页
    4.5 本章小结第56-57页
5 总结第57-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-65页
附录 攻读学位期间发表的学术论文第65页

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