钛合金电子束快速成形缺陷形成机理研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-15页 |
1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
1.2 电子束快速成形技术的特点 | 第10-11页 |
1.3 电子束快速成形技术研究 | 第11-14页 |
1.4 本文主要研究内容和目标 | 第14-15页 |
2 实验材料及研究方法 | 第15-18页 |
2.1 实验材料 | 第15页 |
2.2 电子束快速成形实验 | 第15-16页 |
2.3 金相观察实验 | 第16-17页 |
2.4 扫描电子显微镜实验 | 第17页 |
2.5 能谱成分分析 | 第17-18页 |
3 电子束快速成形未熔合缺陷形成机理研究 | 第18-42页 |
3.1 前言 | 第18页 |
3.2 未熔合缺陷检测 | 第18页 |
3.3 未熔合缺陷形成模式 | 第18-22页 |
3.4 未熔合缺陷形成机理 | 第22页 |
3.5 未熔合数值模型 | 第22-32页 |
3.6 未熔合数值模拟研究 | 第32-40页 |
3.7 抑制未熔合缺陷的措施 | 第40-41页 |
3.8 本章小结 | 第41-42页 |
4 电子束快速成形气孔缺陷形成机理研究 | 第42-57页 |
4.1 前言 | 第42页 |
4.2 气孔缺陷表征 | 第42-44页 |
4.3 气孔形成机理分析 | 第44-55页 |
4.4 抑制气孔缺陷的措施 | 第55-56页 |
4.5 本章小结 | 第56-57页 |
5 总结 | 第57-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
附录 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65页 |