摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第13-24页 |
1.1 研究背景与意义 | 第13-15页 |
1.2 金属氧化物半导体传感器国内外研究现状 | 第15-19页 |
1.2.1 金属氧化物半导体的发展历程 | 第15-16页 |
1.2.2 二氧化锡基气敏性能的研究现状 | 第16-17页 |
1.2.3 二氧化锡基气体传感器气敏机理的几个经典模型 | 第17-19页 |
1.3 金属氧化物传感器的分类及其特性参数 | 第19-22页 |
1.3.1 金属氧化物传感器的分类 | 第19-20页 |
1.3.2 金属氧化物传感器的特性参数 | 第20-22页 |
1.4 论文选题依据及研究内容 | 第22-24页 |
第2章 第一性原理及二氧化锡建模 | 第24-39页 |
2.1 热近似和哈特里-福克自洽场近似 | 第24-27页 |
2.2 密度泛函理论 | 第27-29页 |
2.3 交换关联能量泛函 | 第29-30页 |
2.4 基于密度泛函的第一性原理的实现 | 第30-31页 |
2.5 基于密度泛函理论的第一性原理计算的流程 | 第31-32页 |
2.6 二氧化锡单胞的结构信息 | 第32-35页 |
2.7 二氧化锡晶胞的构建及其电子结构 | 第35-37页 |
2.8 本章小结 | 第37-39页 |
第3章 金属掺杂二氧化锡基传感器气敏机理研究 | 第39-52页 |
3.1 金属掺杂二氧化锡基传感器的模型建立及其电子结构研究 | 第40-46页 |
3.2 氢气吸附在二氧化锡基传感器模型的建立和电子结构分析 | 第46-50页 |
3.2.1 SnO_2气敏材料氢气吸附模型的建立 | 第46-48页 |
3.2.2 氢气吸附SnO_2基气敏材料的电子结构分析 | 第48-50页 |
3.3 本章小结 | 第50-52页 |
第4章 金属掺杂半导体传感器的制造及其应用 | 第52-63页 |
4.1 金属掺杂半导体纳米粉末的研制 | 第52-55页 |
4.1.1 金属半导体纳米粉末制备方法概述 | 第52-53页 |
4.1.2 纯二氧化锡和银掺杂二氧化锡纳米粉末的制备 | 第53-54页 |
4.1.3 纳米半导体粉末的表征 | 第54-55页 |
4.2 金属掺杂二氧化锡基传感器的制作 | 第55-57页 |
4.3 金属掺杂二氧化锡基传感器气敏实验 | 第57-59页 |
4.3.1 气敏实验平台及其步骤 | 第57-58页 |
4.3.2 实验结果分析 | 第58-59页 |
4.4 金属掺杂半导体传感器的应用 | 第59-61页 |
4.4.1 便携式色谱仪的简介和工作原理 | 第59-60页 |
4.4.2 金属半导体传感器在色谱仪中的封装 | 第60-61页 |
4.5 本章小结 | 第61-63页 |
结论 | 第63-65页 |
结论 | 第63-64页 |
展望 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
附录A 攻读学位期间取得的研究成果 | 第71页 |