| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题的研究意义 | 第8页 |
| 1.2 ZnO压敏电阻简介 | 第8-13页 |
| 1.3 降低压敏电压和提高通流容量的方法 | 第13-14页 |
| 1.4 课题研究内容及方法 | 第14-15页 |
| 2 实验过程及测试方法 | 第15-19页 |
| 2.1 实验设备及原料 | 第15-16页 |
| 2.2 样品制备及测试方法 | 第16-19页 |
| 3 低压大通流量ZnO压敏电阻材料研究 | 第19-40页 |
| 3.1 引言 | 第19页 |
| 3.2 Al_2O_3、SiO_2、TiO_2掺杂研究 | 第19-22页 |
| 3.3 掺杂TiO_2降低ZnO压敏电阻的压敏电压 | 第22-24页 |
| 3.4 提高ZnO压敏电阻的通流容量 | 第24-33页 |
| 3.5 Bi_2O_3、Sb_2O_3的掺杂量对制备低压大通流ZnO压敏电阻的影响 | 第33-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 优化ZnO压敏电阻的制备工艺 | 第40-48页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 冷却速率对ZnO压敏电阻的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 Al_2O_3掺杂方式对ZnO压敏电阻的影响 | 第41-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 结论与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 结论 | 第48页 |
| 5.2 展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
