| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 光导开关的研究背景 | 第11-13页 |
| 1.1.1 历史背景 | 第11页 |
| 1.1.2 应用前景 | 第11-12页 |
| 1.1.3 SiC材料的优点 | 第12-13页 |
| 1.2 SiC光导开关的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-17页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第14页 |
| 1.3.2 章节安排 | 第14-17页 |
| 第2章 PCSS工作机理及材料选取 | 第17-27页 |
| 2.1 PCSS基本工作机理及布局 | 第17-21页 |
| 2.1.1 光导开关基本工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 光导开关结构分类 | 第18-20页 |
| 2.1.3 光导开关工作模式 | 第20-21页 |
| 2.2 PCSS衬底材料选取 | 第21-24页 |
| 2.2.1 衬底材料特性及选择 | 第21-23页 |
| 2.2.2 半绝缘SiC材料 | 第23-24页 |
| 2.3 AlN钝化的光导开关 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 SiC-PCSS模拟研究 | 第27-47页 |
| 3.1 SiC-PCSS理论模型 | 第27-30页 |
| 3.1.1 基本状态方程模型 | 第27-28页 |
| 3.1.2 迁移率模型 | 第28页 |
| 3.1.3 复合模型 | 第28-29页 |
| 3.1.4 载流子产生 | 第29-30页 |
| 3.1.5 边界条件 | 第30页 |
| 3.2 SiC-PCSS器件仿真 | 第30-34页 |
| 3.2.1 Silvaco Tcad软件介绍 | 第31-33页 |
| 3.2.2 网格划分 | 第33-34页 |
| 3.2.3 器件建模 | 第34页 |
| 3.2.4 特性仿真 | 第34页 |
| 3.3 SiC-PCSS陷阱浓度研究 | 第34-39页 |
| 3.3.1 陷阱对SiC-PCSS影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 陷阱浓度对SiC-PCSS影响 | 第37-39页 |
| 3.4 AlN钝化层对SiC-PCSS影响 | 第39-45页 |
| 3.4.1 AlN钝化层淀积前后 | 第40-41页 |
| 3.4.2 AlN钝化层厚度的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.3 AlN钝化层表面积的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.4 AlN钝化层对SiC-PCSS击穿特性影响 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 SiC-PCSS工艺设计 | 第47-55页 |
| 4.1 SiC-PCSS欧姆接触 | 第47页 |
| 4.2 SiC-PCSS工艺方法研究 | 第47-52页 |
| 4.2.1 化学气相沉积法 | 第48-49页 |
| 4.2.2 分子束外延法（MBE） | 第49-50页 |
| 4.2.3 磁控溅射 | 第50页 |
| 4.2.4 光刻技术 | 第50-52页 |
| 4.3 制备工艺具体步骤及流程图 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |