| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 石墨烯的结构与性质 | 第10-13页 |
| 1.1.1 石墨烯及其结构 | 第10-12页 |
| 1.1.2 石墨烯的性能及其应用 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯制备方法及其优缺点 | 第13-15页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第13页 |
| 1.2.2 氧化还原法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 碳化硅外延生长法 | 第14页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 1.2.4.1 热化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 1.2.4.2 增强化学气相沉积法 | 第15页 |
| 1.3 MPCVD制备石墨烯薄膜的国内外研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3.1 MPCVD法热处理基底材料 | 第16页 |
| 1.3.2 低温下MPCVD法制备石墨烯 | 第16-17页 |
| 1.3.3 MPCVD法大面积制备石墨烯 | 第17页 |
| 1.3.4 MPCVD法在不同基底材料上制备石墨烯 | 第17-18页 |
| 1.3.5 石墨烯样品的后期等离子体处理 | 第18页 |
| 1.4 研究目的与内容 | 第18-20页 |
| 2 实验设备及表征手段 | 第20-31页 |
| 2.1 实验原料与试剂 | 第20页 |
| 2.2 MPCVD沉积装置 | 第20-23页 |
| 2.2.1 微波源 | 第21-22页 |
| 2.2.2 反应腔体 | 第22-23页 |
| 2.2.3 真空系统 | 第23页 |
| 2.2.4 水电保护系统 | 第23页 |
| 2.2.5 气路系统 | 第23页 |
| 2.3 样品的表征手段 | 第23-31页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪（XRD） | 第24页 |
| 2.3.2 光学显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.3 激光拉曼光谱（Raman） | 第25-27页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第27-29页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜（TEM） | 第29-30页 |
| 2.3.6 能量色散谱（EDS） | 第30-31页 |
| 3 铜基底上制备石墨烯研究 | 第31-58页 |
| 3.1 铜箔的前处理 | 第32-36页 |
| 3.2 工艺参数对石墨烯质量的影响 | 第36-51页 |
| 3.2.1 气源比例对石墨烯质量的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.2 生长温度对石墨烯质量的影响 | 第39-42页 |
| 3.2.3 微波功率对石墨烯质量的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.4 压力大小对石墨烯质量的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.6 生长时间对石墨烯质量的影响 | 第45-51页 |
| 3.3 后处理时间对石墨烯质量的影响 | 第51-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 镍箔上沉积石墨烯研究 | 第58-61页 |
| 4.1 在镍基底上制备石墨烯 | 第58-60页 |
| 4.2 本章小结 | 第60-61页 |
| 5 以石墨烯为过渡层生长金刚石薄膜研究 | 第61-66页 |
| 5.1 不同石墨烯质量对金刚石形核密度的影响 | 第61-64页 |
| 5.2 本章小结 | 第64-66页 |
| 6 单晶硅基底上制备碳纳米材料研究 | 第66-71页 |
| 6.1 在硅基底上制备碳纳米材料 | 第66-70页 |
| 6.2 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 | 第80页 |