| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 量子点与低维半导体材料 | 第11-14页 |
| 1.1.1 量子点的性质 | 第12-13页 |
| 1.1.2 半导体量子点的能带结构 | 第13-14页 |
| 1.2 Ⅱ型能带结构半导体量子点研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 GaSb/GaAs Ⅱ型能带结构半导体量子点 | 第14-15页 |
| 1.2.2 InAs/GaAsSb Ⅱ型能带结构半导体量子点 | 第15页 |
| 1.2.3 GaAs/AlGaAs和InAlAs/AlGaAs Ⅱ型能带结构半导体量子点 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的研究目的及主要内容 | 第17-19页 |
| 第2章 实验技术 | 第19-24页 |
| 2.1 光致发光技术和实验装置 | 第19-23页 |
| 2.1.1 光致发光技术 | 第19-20页 |
| 2.1.2 光致发光实验装置 | 第20-23页 |
| 2.2 原子力扫描显微镜 | 第23-24页 |
| 第3章 Ⅰ型和Ⅱ型能带结构共存InAlAs/AlGaAs自组装量子点 | 第24-32页 |
| 3.1 样品生长和结构 | 第24-25页 |
| 3.2 实验方法 | 第25页 |
| 3.3 结果讨论 | 第25-31页 |
| 3.3.1 In_(0.46)Al_(0.54)As/Al_(0.54)Ga_(0.46)As量子点AFM图像 | 第25-26页 |
| 3.3.2 激发强度对In_(0.46)Al_(0.54)As/Al_(0.54)Ga_(0.46)As量子点PL谱的影响 | 第26-28页 |
| 3.3.3 温度对In_(0.46)Al_(0.54)As/Al_(0.54)Ga_(0.46)As量子点PL谱的影响 | 第28-30页 |
| 3.3.4 In_(0.46)Al_(0.54)As/Al_(0.54)Ga_(0.46)As量子点的TRPL谱 | 第30-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 连续态对Ⅱ型InAlAs/AlGaAs量子点光学特性的影响 | 第32-39页 |
| 4.1 样品结构和实验方法 | 第33页 |
| 4.2 结果讨论 | 第33-38页 |
| 4.2.1 In_(0.46)Al_(0.54)As/Al_(0.54)Ga_(0.46)As量子点PL谱和PLE谱 | 第33-34页 |
| 4.2.2 连续态对载流子捕获和弛豫的影响 | 第34-37页 |
| 4.2.3 连续态对载流子温度行为的影响 | 第37-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 GaAs/AlGaAs量子点环混合结构光学特性 | 第39-52页 |
| 5.1 样品生长和结构 | 第40页 |
| 5.2 实验方法 | 第40-41页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 5.3.1 GaAs/AlxGa1-xAs量子点环混合结构AFM图像 | 第41-43页 |
| 5.3.2 复合结构量子点环高度波动对PL谱的影响 | 第43-44页 |
| 5.3.3 Al含量对GaAs/AlxGa1-xAs量子点环PL谱的影响 | 第44-46页 |
| 5.3.4 激发强度对GaAs/AlxGa1-xAs量子点环PL谱的影响 | 第46-48页 |
| 5.3.5 Al含量对GaAs/AlxGa1-xAs量子点环TRPL的影响 | 第48-49页 |
| 5.3.6 GaAs/AlxGa1-xAs量子点环PL谱的温度行为 | 第49-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结束语 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第61页 |
