| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 铁基形状记忆合金的发展 | 第12-14页 |
| 1.2 Fe-Mn-Si合金简介及层错几率测定 | 第14-17页 |
| 1.2.1 Fe-Mn-Si合金简介 | 第14-16页 |
| 1.2.2 Fe-Mn-Si合金中的层错和层错几率 | 第16-17页 |
| 1.3 XRD方法测定层错几率 | 第17-23页 |
| 1.3.1 XRD峰宽化法 | 第18-22页 |
| 1.3.2 XRD峰位移法 | 第22-23页 |
| 1.4 电镜的方法测量层错 | 第23-27页 |
| 1.5 本文的研究背景及内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 层错几率的测定 | 第31-52页 |
| 2.1 实验 | 第31-33页 |
| 2.1.1 实验材料及制备 | 第31-32页 |
| 2.1.2 实验仪器及实验方法 | 第32-33页 |
| 2.2 XRD线形宽化法实验结果和讨论 | 第33-38页 |
| 2.3 XRD峰位移法实验结果和讨论 | 第38-43页 |
| 2.3.1 XRD峰位移法的实验结果 | 第38-39页 |
| 2.3.2 峰宽化法的影响因素 | 第39-43页 |
| 2.4 电子衍射斑点位移法测定层错几率的结果 | 第43-46页 |
| 2.5 本章结论 | 第46-47页 |
| 本章附录1 | 第47-48页 |
| 本章附录2 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 C、N元素对SFP和SME的影响和微结构的表征 | 第52-73页 |
| 3.1 添加元素对层错几率的影响 | 第52-54页 |
| 3.2 形状记忆效应实验结果和讨论 | 第54-56页 |
| 3.3 C、N间隙元素对层错几率和形状记忆效应的影响 | 第56-58页 |
| 3.4 微结构的TEM和HREM表征 | 第58-70页 |
| 3.4.1 HREM表征基础 | 第58-63页 |
| 3.4.2 微结构的衍衬像和原子像 | 第63-70页 |
| 3.5 本章结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第四章 Fe-Mn-Si和Ni-Mn-Ga长周期结构的高分辨表征 | 第73-87页 |
| 4.1 长周结构基础 | 第73-79页 |
| 4.1.1 H结构和R结构 | 第73-75页 |
| 4.1.2 密堆长周期结构的电子衍射花样 | 第75-79页 |
| 4.2 Fe-Mn-Si和Ni-Mn-Ga 合金中的长周期结构 | 第79-85页 |
| 4.2.1 Fe-Mn-Si合金长周期结构的表征 | 第79-81页 |
| 4.2.2 Ni-Mn-Ga合金中长周期结构的表征 | 第81-85页 |
| 4.3 本章结论 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第五章 结论 | 第87-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
