| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 概述 | 第9-14页 |
| 1.2 RF MEMS 开关的发展 | 第14-15页 |
| 1.3 电容式 RF MEMS 开关的介质材料和充电效应 | 第15-17页 |
| 1.4 射频 RF MEMS 开关介质充电的表征方法 | 第17-18页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 氮化硅掺杂的第一性原理计算研究 | 第19-35页 |
| 2.1 第一性原理计算方法简介 | 第19-23页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer 近似与 Hartree-Foek 近似 | 第19页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第19-20页 |
| 2.1.3 交换相关能量泛函 | 第20页 |
| 2.1.4 局域密度近似 | 第20-21页 |
| 2.1.5 广义梯度近似(GGA) | 第21页 |
| 2.1.6 轨道泛函:LDA(GGA)+U | 第21页 |
| 2.1.7 本文采用的密度泛函理论计算软件包 | 第21-23页 |
| 2.2 氮化硅的 B、P 掺杂第一性原理计算 | 第23-33页 |
| 2.2.1 理论模型和计算方法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 计算结果和讨论 | 第25-33页 |
| 2.3 氮化硅 As(砷)掺杂的第一性原理计算 | 第33-34页 |
| 2.4 本章总结 | 第34-35页 |
| 第3章 氮化硅介质膜掺杂样品的制备 | 第35-46页 |
| 3.1 离子注入工艺介绍 | 第35-37页 |
| 3.2 实验用 MIS 结构模型介绍 | 第37-38页 |
| 3.3 实验工艺过程及相关参数 | 第38-40页 |
| 3.4 半导体 C-V 曲线的分析 | 第40-45页 |
| 3.5 本章总结 | 第45-46页 |
| 第4章 实验结果的分析与讨论 | 第46-62页 |
| 4.1 不同电极点的 C-V 曲线图 | 第46-47页 |
| 4.2 不同掺杂浓度的 C-V 曲线图 | 第47-48页 |
| 4.3 样品 1-1 中不同电极面积的 C-V 曲线对比图 | 第48-49页 |
| 4.4 对 6 种样品加正 30 V 偏压后的 C-V 图 | 第49-51页 |
| 4.5 各样品施加正 50 V 偏压后的 C-V 曲线图 | 第51-54页 |
| 4.6 各样品施加负 30 V 偏压后的 C-V 曲线图 | 第54-56页 |
| 4.7 各样品施加负 50 V 偏压后的 C-V 曲线图 | 第56-59页 |
| 4.8 两种不同样品施加正 50 V 偏压后的 C-V 曲线对比图 | 第59-60页 |
| 4.9 两种样品施加不同正偏压后的 C-V 测试曲线图 | 第60页 |
| 4.10 本章总结 | 第60-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-66页 |
| 5.1 本文完成的工作概述 | 第62-63页 |
| 5.2 后续研究方向 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 硕士学位期间主要学术成果 | 第74-75页 |
