| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 课题来源及研究背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 GaN器件及其应用研究的发展和现状 | 第9-15页 |
| 1.2.1 GaN器件的特性 | 第9-13页 |
| 1.2.2 GaN器件的发展和现状 | 第13-14页 |
| 1.2.3 GaN器件应用研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文主要研究的内容 | 第15-17页 |
| 第2章 两级DC/DC变换器总体设计 | 第17-28页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 主功率电路拓扑的设计 | 第17-18页 |
| 2.3 同步整流技术的应用和设计 | 第18-19页 |
| 2.4 增强型GaN器件的选型 | 第19-22页 |
| 2.5 平面磁性元件设计 | 第22-26页 |
| 2.5.1 平面电感器设计 | 第22-25页 |
| 2.5.2 平面变压器设计 | 第25-26页 |
| 2.6 输出滤波器的设计 | 第26-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 增强型GAN HEMT的驱动电路设计 | 第28-48页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 增强型GaN HEMT的驱动特性 | 第28-31页 |
| 3.2.1 增强型GaN HEMT的转移特性 | 第28-30页 |
| 3.2.2 增强型GaN HEMT的驱动要求 | 第30-31页 |
| 3.3 杂散电感对驱动电路的影响 | 第31-37页 |
| 3.3.1 增强型GaN HEMT EPC2033的封装 | 第31页 |
| 3.3.2 寄生电感对开关性能的影响 | 第31-35页 |
| 3.3.3 杂散电感对驱动电压影响的LTspice仿真 | 第35-37页 |
| 3.4 增强型GaN HEMT驱动芯片的选取 | 第37-42页 |
| 3.4.1 传统驱动方法的不足 | 第37-39页 |
| 3.4.2 驱动芯片的选择 | 第39-42页 |
| 3.5 增强型GaN HEMT的布局及优化 | 第42-47页 |
| 3.5.1 GaN HEMT驱动电路及功率电路布局设计 | 第42-44页 |
| 3.5.2 GaN HEMT驱动电路及功率电路布局优化 | 第44-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 两级DC/DC变换器损耗分析及效率改善 | 第48-57页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 变换器的损耗分析 | 第48-51页 |
| 4.2.1 平面磁性元件的损耗分析 | 第48-49页 |
| 4.2.2 e GaN HEMT的LTspice损耗仿真 | 第49-50页 |
| 4.2.3 基于GaN器件与基于Si器件的整机效率仿真对比 | 第50-51页 |
| 4.3 效率改善方案及验证 | 第51-56页 |
| 4.3.1 推挽级GaN晶体管的软开关及其实现 | 第51-55页 |
| 4.3.2 增强型GaN HEMT的反向导通控制改善 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 实验结果及分析 | 第57-64页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 样机与实验环境 | 第57-58页 |
| 5.3 基于eGaN HEMT的DC/DC变换器指标测评 | 第58-60页 |
| 5.3.1 动态与纹波噪声测试及分析 | 第58-59页 |
| 5.3.2 调整率及效率测试与分析 | 第59-60页 |
| 5.4 在其它开关频率下的性能指标测试 | 第60-63页 |
| 5.4.1 开关频率 500k Hz下的变换器指标测试 | 第60-62页 |
| 5.4.2 开关频率 340k Hz下的变换器指标测试 | 第62-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
