| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第9-10页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 SiC材料简介 | 第13-17页 |
| 1.1.1 碳化硅材料结构 | 第13-15页 |
| 1.1.2 4H-SiC材料基本特性 | 第15-16页 |
| 1.1.3 SiC材料生长发展现状及存在问题 | 第16-17页 |
| 1.2 SiC紫外探测器概述 | 第17-19页 |
| 1.2.1 紫外探测器分类 | 第17-18页 |
| 1.2.2 4H-SiC紫外探测器的发展 | 第18-19页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 碳化硅PIN紫外探测器理论分析 | 第21-31页 |
| 2.1 半导体光电效应 | 第21-22页 |
| 2.2 工作机理 | 第22-26页 |
| 2.2.1 PN结构紫外探测器原理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 PIN结构紫外探测器原理 | 第24-26页 |
| 2.3 紫外探测器性能参数 | 第26-29页 |
| 2.3.1 光电流与暗电流 | 第26-28页 |
| 2.3.2 响应度与量子效率 | 第28页 |
| 2.3.3 响应时间 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 SiC PIN紫外探测器特性仿真研究 | 第31-49页 |
| 3.1 物理模型及参数 | 第31-37页 |
| 3.1.1 能带模型 | 第31页 |
| 3.1.2 迁移率模型 | 第31-32页 |
| 3.1.3 不完全离化模型 | 第32-33页 |
| 3.1.4 产生复合模型 | 第33-34页 |
| 3.1.5 光生模型 | 第34-35页 |
| 3.1.6 光吸收系数 | 第35-37页 |
| 3.2 仿真流程及结构设计 | 第37-39页 |
| 3.2.1 仿真流程 | 第37-38页 |
| 3.2.2 结构设计 | 第38-39页 |
| 3.3 模拟仿真结果及分析 | 第39-47页 |
| 3.3.1 光暗电流对比 | 第39-40页 |
| 3.3.2 器件光谱响应特性 | 第40-42页 |
| 3.3.3 p层参数对光谱响应的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.4 i层参数对光谱响应的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 4H-SiC PIN紫外探测器外延工艺研究 | 第49-61页 |
| 4.1 SiC CVD工艺简介 | 第49-51页 |
| 4.2 外延生长主要参量 | 第51-53页 |
| 4.2.1 生长源流量 | 第51页 |
| 4.2.2 掺杂源流量 | 第51-52页 |
| 4.2.3 碳硅比 | 第52页 |
| 4.2.4 生长温度 | 第52页 |
| 4.2.5 生长气压 | 第52-53页 |
| 4.2.6 在线刻蚀 | 第53页 |
| 4.3 厚度及掺杂浓度控制 | 第53-55页 |
| 4.3.1 i层、n层厚度及掺杂浓度控制 | 第53-54页 |
| 4.3.2 p层厚度及掺杂浓度控制 | 第54-55页 |
| 4.4 外延工艺流程设计 | 第55-57页 |
| 4.4.1 i层、n层外延生长工艺流程 | 第55-56页 |
| 4.4.2 p层外延生长工艺流程 | 第56-57页 |
| 4.5 外延结构表征及分析 | 第57-59页 |
| 4.5.1 结构参数表征及分析 | 第57-58页 |
| 4.5.2 表面质量表征及分析 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 作者简介 | 第67-68页 |