| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRCT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第18-38页 |
| 1.1 引言 | 第18-19页 |
| 1.2 纳米结构在太阳电池上的应用 | 第19-31页 |
| 1.2.1 优化减反陷光 | 第19-27页 |
| 1.2.2 优化载流子输运 | 第27-30页 |
| 1.2.3 优化材料特性 | 第30-31页 |
| 1.3 本文的选题背景以及研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 纳米结构太阳电池的理论模拟方法 | 第38-64页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 Lumerical FDTD Solutions光学模拟 | 第39-53页 |
| 2.2.1 麦克斯韦方程的FDTD形式 | 第39-45页 |
| 2.2.2 FDTD的数值稳定性 | 第45-47页 |
| 2.2.3 FDTD的边界条件 | 第47-53页 |
| 2.3 Lumerical DEVICE电学模拟 | 第53-60页 |
| 2.3.1 半导体基本方程 | 第53-55页 |
| 2.3.2 电学参数设置 | 第55-60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第三章 周期性纳米柱阵列提升硅基异质结太阳电池内量子效率的研究 | 第64-82页 |
| 3.1 引言 | 第64-67页 |
| 3.2 模拟模型 | 第67-69页 |
| 3.2.1 电池结构 | 第67-68页 |
| 3.2.2 光学模拟 | 第68页 |
| 3.2.3 电学模拟 | 第68-69页 |
| 3.3 结构参数对纳米柱电池性能的影响 | 第69-75页 |
| 3.3.1 阵列周期（P）对电池性能的影响 | 第69-72页 |
| 3.3.2 纳米柱直径（D）对电池性能的影响 | 第72-74页 |
| 3.3.3 纳米柱高（H）对电池性能的影响 | 第74-75页 |
| 3.4 优化的阵列对电池内量子效率的提升 | 第75-77页 |
| 3.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第四章 单根竖直纳米线太阳电池——突破平面效率极限 | 第82-115页 |
| 4.1 引言 | 第82-84页 |
| 4.2 模拟模型 | 第84-87页 |
| 4.2.1 电池结构 | 第84-85页 |
| 4.2.2 光学模拟 | 第85-86页 |
| 4.2.3 电学模拟 | 第86-87页 |
| 4.3 单根竖直纳米线电池突破平面效率极限 | 第87-110页 |
| 4.3.1 Shockley-Queisser效率极限 | 第87-89页 |
| 4.3.2 单根竖直纳米线的光学特性 | 第89-101页 |
| 4.3.3 开路电压突破平面极限 | 第101-104页 |
| 4.3.4 内量子效率突破平面极限 | 第104-108页 |
| 4.3.5 转换效率突破平面极限 | 第108-110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 介质包覆的竖直纳米线阵列太阳电池——突破平面效率极限 | 第115-141页 |
| 5.1 引言 | 第115-116页 |
| 5.2 模拟模型 | 第116-118页 |
| 5.2.1 电池结构 | 第116-117页 |
| 5.2.2 光学模拟 | 第117-118页 |
| 5.2.3 电学模拟 | 第118页 |
| 5.3 CSNW阵列电池突破平面效率极限 | 第118-135页 |
| 5.3.1 SNW阵列电池的光学响应 | 第118-126页 |
| 5.3.2 CSNW阵列电池的光学响应 | 第126-131页 |
| 5.3.3 CSNW阵列电池的电学提取能力 | 第131-134页 |
| 5.3.4 CSNW阵列电池的性能参数 | 第134-135页 |
| 5.4 本章小结 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-141页 |
| 第六章 总结与展望 | 第141-144页 |
| 6.1 结论 | 第141-143页 |
| 6.2 创新点 | 第143页 |
| 6.3 展望 | 第143-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 完成论文目录 | 第145-146页 |
