| 中文摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 硅烯的基本性能和制备 | 第13-16页 |
| 1.2.1 硅烯的结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 硅烯的基本性能 | 第14-15页 |
| 1.2.3 硅烯的制备 | 第15-16页 |
| 1.3 硅烯纳米带 | 第16-17页 |
| 1.4 本文选题背景和意义 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章理论基础与计算方法 | 第23-36页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-28页 |
| 2.2.1 波恩-奥本海默近似（Born-Oppenheimer Approximation） | 第24页 |
| 2.2.2 哈特利-福克自洽场近似（Hartree-Fork Approximation） | 第24-25页 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.2.5 局域密度近似 | 第27-28页 |
| 2.3 输运理论 | 第28-32页 |
| 2.3.1 输运理论 | 第28-30页 |
| 2.3.2 格林函数方法理论 | 第30-32页 |
| 2.4 计算软件ATK | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章空位缺陷对锯齿型硅烯纳米带自旋输运的影响 | 第36-54页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 模型和方法 | 第37-39页 |
| 3.3 空位缺陷对锯齿型硅烯纳米带自旋输运性质的影响 | 第39-46页 |
| 3.3.1 单、双原子空位缺陷的自旋输运性质 | 第39-44页 |
| 3.3.2 线空位缺陷的自旋输运性质 | 第44-46页 |
| 3.4 空位缺陷对锯齿型硅烯纳米带热电性质的影响 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 第四章空位缺陷位置对锯齿型硅烯纳米带自旋输运的影响 | 第54-61页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 模型和方法 | 第54-55页 |
| 4.3 空缺位置变化对锯齿型硅烯纳米带自旋输运性质的影响 | 第55-57页 |
| 4.4 空缺位置变化对锯齿型硅烯纳米带热电性质的影响 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章总结 | 第61-63页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
