| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 存储器的发展与背景 | 第9-10页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器 | 第10-13页 |
| 1.2.1 铁电存储器（FRAM） | 第10-11页 |
| 1.2.2 磁阻存储器（MRAM） | 第11页 |
| 1.2.3 相变存储器（PRAM） | 第11-12页 |
| 1.2.4 阻变存储器（RRAM） | 第12-13页 |
| 1.3 阻变存储器的发展及研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 阻变存储器的分类 | 第14页 |
| 1.5 阻变存储器的阻变机理 | 第14-22页 |
| 1.5.1 细丝模型 | 第15-19页 |
| 1.5.2 电荷俘获模型 | 第19-20页 |
| 1.5.3 肖特基势垒调制模型 | 第20-22页 |
| 1.6 研究内容及研究意义 | 第22-24页 |
| 1.6.1 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.6.2 研究意义 | 第23-24页 |
| 第二章 阻变器件的制备技术及测试表征技术 | 第24-30页 |
| 2.1 PVD薄膜沉积设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 电子束蒸发设备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射设备 | 第25-26页 |
| 2.2 测设表征设备 | 第26-30页 |
| 2.2.1 金相显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析仪 | 第27-28页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第28页 |
| 2.2.4 电学测试仪器 | 第28-30页 |
| 第三章 基于氧化硅固态电解质铜电极阻变器件ECM特性的研究 | 第30-48页 |
| 3.1 基于Cu/SiO_2/Al结构RRAM多值特性及机理研究 | 第30-37页 |
| 3.1.1 器件的制备与测试方法 | 第31-32页 |
| 3.1.2 氧化硅薄膜微观结构的表征 | 第32页 |
| 3.1.3 Cu/SiO_2/Al结构电学特性测试结果 | 第32-34页 |
| 3.1.4 Cu/SiO_2/Al结构阻变各阻态导电机制的研究 | 第34-36页 |
| 3.1.5 Cu/SiO_2/Al结构阻变模型 | 第36-37页 |
| 3.2 Cu掺杂对基于氧化硅RRAM的影响 | 第37-43页 |
| 3.2.1 Cu掺杂量对氧化硅阻变器件的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.2 Cu掺杂对氧化硅器件一致性的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.3 Cu掺杂对氧化硅阻变存储器影响的理论模型及分析 | 第42-43页 |
| 3.3 W阻挡层对氧化硅阻变存储器的影响 | 第43-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于氧化硅VCM特性的阻变机理研究及分析 | 第48-58页 |
| 4.1 不同氧分压下氧化硅的生长速率对比 | 第48-49页 |
| 4.2 基于W/SiOx/Pt结构阻变器件阻变机理的研究 | 第49-57页 |
| 4.2.1 器件制备与测试方式 | 第49-50页 |
| 4.2.2 不同极性操作方式的电学特性测试结果 | 第50-51页 |
| 4.2.3 不同极性操作方式下的一致性对比 | 第51-52页 |
| 4.2.4 不同极性操作方式器件传输机制的对比 | 第52-53页 |
| 4.2.5 W/SiOx/Pt结构阻变器件的阻变机制的推测及验证 | 第53-55页 |
| 4.2.6 W/SiOx/Pt结构阻变器件不同极性操作方式下的阻变模型 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
