摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第14-31页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第14-15页 |
1.2 光子局域化及其相关理论和发展 | 第15-22页 |
1.2.1 光散射的简介 | 第15页 |
1.2.2 Anderson局域化 | 第15-16页 |
1.2.3 光子局域化 | 第16-17页 |
1.2.4 相干背散射加强-局域化的标志 | 第17-21页 |
1.2.5 光子局域化的研究进展 | 第21-22页 |
1.3 随机激光的概念及其发展 | 第22-29页 |
1.3.1 随机激光的概念 | 第22-23页 |
1.3.2 相干反馈与非相干反馈随机激光模式 | 第23-26页 |
1.3.3 随机激光研究进展 | 第26-29页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第29-31页 |
第2章 PLZT陶瓷中陷阱分布的研究 | 第31-50页 |
2.1 引言 | 第31页 |
2.2 PLZT材料基本性质 | 第31-35页 |
2.2.1 PLZT材料的结构特征 | 第31-33页 |
2.2.2 PLZT材料的光学性质 | 第33-35页 |
2.3 不同波长光照对PLZT材料光谱的影响 | 第35-42页 |
2.3.1 短波光照对PLZT透过率的影响 | 第37-40页 |
2.3.2 红外光照对PLZT透过率的影响 | 第40-42页 |
2.4 PLZT材料的陷阱分布及电子激发模型的建立 | 第42-48页 |
2.5 本章小结 | 第48-50页 |
第3章 基于PLZT陶瓷光子弱局域化的光放大特性 | 第50-66页 |
3.1 引言 | 第50页 |
3.2 Nd~(3+)掺杂PLZT材料的光学性质 | 第50-53页 |
3.2.1 Nd~(3+)掺杂PLZT材料的吸收光谱和吸收截面 | 第50-51页 |
3.2.2 Nd~(3+)掺杂PLZT材料的发射光谱和发射截面 | 第51-53页 |
3.3 基于光子弱局域化的Nd~(3+)掺杂PLZT的光放大行为 | 第53-64页 |
3.3.1 Nd~(3+)掺杂PLZT材料的光子弱局域化 | 第54-55页 |
3.3.2 808 nm泵浦下Nd~(3+)掺杂PLZT材料的光放大行为 | 第55-58页 |
3.3.3 光子弱局域化和多重散射对光放大的调节作用 | 第58-63页 |
3.3.4 光子弱局域化与表面电荷积累的关系 | 第63-64页 |
3.4 本章小结 | 第64-66页 |
第4章 基于PLZT陶瓷光子弱局域化的频率转换发光 | 第66-84页 |
4.1 引言 | 第66页 |
4.2 Er~(3+)/Yb~(3+)双掺的PLZT粉末材料的多光子上转换发光 | 第66-72页 |
4.2.1 粉末材料的制备 | 第66-67页 |
4.2.2 粉末材料的三光子上转换发光 | 第67-68页 |
4.2.3 不同功率泵浦光对发射光谱的影响 | 第68-72页 |
4.3 光子弱局域化对短波光辐射的影响 | 第72-80页 |
4.3.1 粉末PLZT陶瓷的光子弱局域化 | 第72-75页 |
4.3.2 光子弱局域化对短波光辐射的增强作用 | 第75-77页 |
4.3.3 基于光子弱局域化的背向探测光放大现象 | 第77-80页 |
4.4 双光子上转换发光与背向探测光增强 | 第80-83页 |
4.5 本章小结 | 第83-84页 |
第5章 基于PLZT陶瓷光子弱局域化的随机激光 | 第84-102页 |
5.1 引言 | 第84页 |
5.2 纳米阵列结构PLZT样品的制备与其基本性质 | 第84-89页 |
5.2.1 样品的制备过程 | 第84-85页 |
5.2.2 纳米阵列结构PLZT的光学特性 | 第85-89页 |
5.3 纳米阵列结构PLZT的随机激光 | 第89-97页 |
5.3.1 纳米阵列结构PLZT的随机激光实验 | 第89-94页 |
5.3.2 纳米阵列结构PLZT的随机激光理论分析 | 第94-97页 |
5.4 PLZT的随机激光与光子弱局域化的关系 | 第97-98页 |
5.5 偏振光激发下的单一模式随机激光 | 第98-100页 |
5.6 本章小结 | 第100-102页 |
结论 | 第102-104页 |
参考文献 | 第104-115页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第115-118页 |
致谢 | 第118-119页 |
个人简历 | 第119页 |