ZnO纳米线光电探测器制备与表面态处理研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体光电探测器的应用 | 第10-17页 |
| 1.2.1 半导体光电探测器的光吸收 | 第10-13页 |
| 1.2.2 半导体光电探测器的性能 | 第13-15页 |
| 1.2.3 半导体光电探测器的分类 | 第15-17页 |
| 1.3 ZnO纳米线的光电子应用 | 第17-20页 |
| 1.4 选题的内容和意义 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 ZnO纳米线光电探测器的制备与表征 | 第23-34页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 ZnO纳米线的生长与表征 | 第24-27页 |
| 2.2.1 ZnO纳米线气相淀积生长 | 第24-26页 |
| 2.2.2 ZnO纳米线的SEM表征 | 第26-27页 |
| 2.3 光电探测器侧面电极的制备 | 第27-30页 |
| 2.4 ZnO纳米线光电探测器的表征与分析 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 ZnO纳米线表面态处理对探测器性能影响 | 第34-42页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 ZnO表面态处理的实验结果与分析 | 第35-38页 |
| 3.3 ZnO肖特基结表面态的物理分析 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 结论与展望 | 第42-47页 |
| 4.1 主要结论 | 第42-44页 |
| 4.2 研究展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术成果 | 第49-50页 |
