| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第14-15页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第15页 |
| 1.4 论文组织 | 第15-18页 |
| 第二章 RF开关和PA的关键指标与问题分析 | 第18-32页 |
| 2.1 RF开关的关键指标与问题分析 | 第18-23页 |
| 2.1.1 传统RF CMOS收发开关的电路结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 插入损耗 | 第19-20页 |
| 2.1.3 隔离度 | 第20页 |
| 2.1.4 线性度 | 第20-22页 |
| 2.1.5 RF CMOS开关面临的问题 | 第22-23页 |
| 2.2 RF PA的关键指标与问题分析 | 第23-31页 |
| 2.2.1 传统RF CMOS PA的电路结构 | 第23-24页 |
| 2.2.2 RF PA的分类 | 第24-28页 |
| 2.2.3 输出功率 | 第28-29页 |
| 2.2.4 效率和增益 | 第29-30页 |
| 2.2.5 功率容量 | 第30页 |
| 2.2.6 负载牵引技术 | 第30-31页 |
| 2.2.7 RF CMOS PA面临的问题 | 第31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 RF CMOS非对称单刀双掷收发开关的设计 | 第32-42页 |
| 3.1 RF CMOS开关面临问题的分析 | 第32-33页 |
| 3.2 RF CMOS非对称单刀双掷收发开关的电路设计 | 第33-40页 |
| 3.2.1 RF CMOS非对称单刀双掷收发开关的整体电路结构 | 第33-34页 |
| 3.2.2 单个晶体管的分析 | 第34-36页 |
| 3.2.3 叠加晶体管的数量设计 | 第36页 |
| 3.2.4 交流悬浮偏压技术 | 第36页 |
| 3.2.5 前馈电容技术 | 第36-38页 |
| 3.2.6 一种双悬浮的CMOS三阱设计方法 | 第38-39页 |
| 3.2.7 天线效应的消除方法 | 第39-40页 |
| 3.3 RF CMOS非对称SPDT单刀双掷开关的版图设计 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 RF CMOS高效率PA的设计 | 第42-52页 |
| 4.1 RF CMOS PA面临问题的分析 | 第42页 |
| 4.2 RF CMOS高效率PA的电路设计 | 第42-48页 |
| 4.2.1 RF CMOS高效率PA的原理图 | 第42-43页 |
| 4.2.2 RF CMOS高效率PA的整体电路结构 | 第43-44页 |
| 4.2.3 功率级电路设计 | 第44-46页 |
| 4.2.4 驱动级电路设计 | 第46-48页 |
| 4.3 RF CMOS高效率PA的阻抗匹配 | 第48-50页 |
| 4.3.1 输出匹配网络 | 第48-49页 |
| 4.3.2 级间匹配网络 | 第49-50页 |
| 4.3.3 输入匹配网络 | 第50页 |
| 4.4 RF CMOS高效率PA的版图设计 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 实验结果分析 | 第52-60页 |
| 5.1 RF CMOS非对称单刀双掷收发开关的仿真及测试结果 | 第52-55页 |
| 5.1.1 R.F CMOS非对称单刀双掷收发开关的前仿真结果 | 第52-53页 |
| 5.1.2 RF CMOS非对称单刀双掷收发开关的后仿真结果 | 第53-54页 |
| 5.1.3 RF CMOS非对称单刀双掷收发开关的测试结果 | 第54-55页 |
| 5.2 RF CMOS高效率PA的仿真结果 | 第55-58页 |
| 5.2.1 RF CMOS高效率PA的前仿真结果 | 第55-57页 |
| 5.2.2 RF CMOS高效率PA的后仿真结果 | 第57-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |
