硫化物纳米薄膜的制备、图案化及性能研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·硫化物的基本性质 | 第11-12页 |
| ·硫化物薄膜的制备方法 | 第12-15页 |
| ·物理方法 | 第12-13页 |
| ·化学方法 | 第13-15页 |
| ·图案化硫化物纳米薄膜的制备技术 | 第15-17页 |
| ·图案化技术 | 第16页 |
| ·图案化硫化物纳米薄膜的制备 | 第16-17页 |
| ·选题依据与研究内容 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-23页 |
| 第二章 CdS 纳米薄膜的制备 | 第23-32页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验部分 | 第23-24页 |
| ·试剂与材料 | 第23-24页 |
| ·基底的预处理 | 第24页 |
| ·CdS 纳米薄膜的制备 | 第24页 |
| ·表征 | 第24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-30页 |
| ·CdS 纳米薄膜沉积的影响因素 | 第24-27页 |
| ·CdS 纳米薄膜的XRD 分析 | 第27-28页 |
| ·沉积机理探讨 | 第28页 |
| ·CdS 纳米薄膜光学、光电性能表征 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 CdS 纳米薄膜的图案化 | 第32-44页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·实验部分 | 第33-34页 |
| ·试剂与材料 | 第33页 |
| ·基底的预处理 | 第33页 |
| ·OTS SAMs 的组装及图案化 | 第33页 |
| ·CdS 纳米图案化薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·表征 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·图案化机理 | 第34-35页 |
| ·形貌与结构表征 | 第35-37页 |
| ·CdS 纳米图案化薄膜的光学性能 | 第37-38页 |
| ·CdS 纳米图案化薄膜的光电性能 | 第38-39页 |
| ·CdS 纳米图案化薄膜的电学性能 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第四章 In_2S_3 纳米薄膜的制备 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45页 |
| ·试剂与材料 | 第45页 |
| ·基底的预处理 | 第45页 |
| ·APTS SAMs 的组装 | 第45页 |
| ·In_2S_3 纳米薄膜的制备 | 第45页 |
| ·表征 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-52页 |
| ·形貌与结构表征 | 第45-49页 |
| ·沉积机理探讨 | 第49-50页 |
| ·In_2S_3 纳米薄膜的光学性能 | 第50-51页 |
| ·In_2S_3 纳米薄膜的光电性能 | 第51-52页 |
| ·In_2S_3 纳米薄膜的电学性能 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第五章 In_2S_3 纳米薄膜的正负图案化 | 第57-63页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验部分 | 第57-58页 |
| ·试剂与材料 | 第57页 |
| ·基底的预处理 | 第57页 |
| ·图案化-NH_2/-OH SAMs 的制备 | 第57-58页 |
| ·图案化-CH_3/-NH_2 SAMs 的制备 | 第58页 |
| ·正负图案化In_2S_3 纳米薄膜的沉积 | 第58页 |
| ·表征 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-61页 |
| ·沉积机理探讨 | 第58-60页 |
| ·正负图案的形貌表征 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-65页 |
| ·主要内容和主要结论 | 第63-64页 |
| ·存在的问题和今后的研究设想 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表和待发表论文 | 第66页 |
