| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-33页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第16-17页 |
| 1.2 真空沿面放电的研究现状 | 第17-31页 |
| 1.2.1 真空沿面放电的影响因素 | 第17-27页 |
| 1.2.2 真空沿面放电的机理研究 | 第27-31页 |
| 1.3 现有研究存在的问题 | 第31-32页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第32-33页 |
| 第2章 试验平台搭建 | 第33-52页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 试验平台的构成 | 第33-34页 |
| 2.3 纳秒脉冲电压源 | 第34-37页 |
| 2.3.1 纳秒脉冲电源的原理及实现 | 第34-35页 |
| 2.3.2 脉宽压缩和波阻抗匹配 | 第35-36页 |
| 2.3.3 脉冲波头陡化 | 第36页 |
| 2.3.4 脉冲效率提高 | 第36-37页 |
| 2.4 纳秒脉冲电压测量 | 第37-42页 |
| 2.4.1 纳秒脉冲电压测量的原理 | 第37-39页 |
| 2.4.2 纳秒脉冲电压测量传感器的研制 | 第39-42页 |
| 2.5 表面电荷三维测量系统 | 第42-50页 |
| 2.5.1 三维操控机构 | 第42-43页 |
| 2.5.2 静电容探头表面电荷测量系统 | 第43-47页 |
| 2.5.3 试品和电极 | 第47-49页 |
| 2.5.4 表面电荷三维分布的测量方法 | 第49-50页 |
| 2.6 二次电子发射系数测量装置 | 第50-51页 |
| 2.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 45°圆台绝缘子表面电荷三维分布的特性 | 第52-62页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 表面电荷的典型三维分布形态 | 第52-55页 |
| 3.3 脉冲电压对表面电荷的影响 | 第55-59页 |
| 3.3.1 脉冲电压幅值对表面电荷的影响 | 第55-57页 |
| 3.3.2 脉冲电压次数对表面电荷的影响 | 第57-59页 |
| 3.4 表面电荷分布特性分析 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 表面电荷积聚对闪络电压的影响 | 第62-75页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 表面电荷积聚对表面电场分布的影响 | 第62-67页 |
| 4.2.1 外施电压产生的电场 | 第62-66页 |
| 4.2.2 表面电荷积聚引起的电场 | 第66-67页 |
| 4.3 表面电荷测量及闪络试验方法 | 第67-68页 |
| 4.3.1 缺陷试品的表面电荷测量方法 | 第67-68页 |
| 4.3.2 闪络试验方法 | 第68页 |
| 4.4 表面电荷积聚对闪络电压的影响 | 第68-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 二次电子发射对纳秒脉冲下表面电荷积聚及闪络电压的影响 | 第75-93页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 二次电子发射系数的定义 | 第75-76页 |
| 5.3 二次电子发射系数与材料的关系 | 第76-78页 |
| 5.4 二次电子发射系数与表面电荷的关系 | 第78-84页 |
| 5.5 二次电子发射系数对表面电荷积聚及闪络电压的影响 | 第84-91页 |
| 5.6 本章小结 | 第91-93页 |
| 第6章 纳秒脉冲作用下45°真空绝缘子沿面放电的二次电子发射机制 | 第93-99页 |
| 6.1 引言 | 第93页 |
| 6.2 纳秒脉冲下真空沿面放电的发展机制 | 第93-98页 |
| 6.2.1 纳秒脉冲作用下的真空沿面放电的二次电子发射机制 | 第93-95页 |
| 6.2.2 正极性纳秒脉冲作用下的真空沿面放电发展机制 | 第95-98页 |
| 6.3 纳秒脉冲真空沿面放电过程分析的启示 | 第98页 |
| 6.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第7章 结论 | 第99-100页 |
| 7.1 结论 | 第99页 |
| 7.2 主要创新点 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 作者简介 | 第112页 |
