| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景与选题依据 | 第9页 |
| 1.2 硅基紫外探测技术的目的及意义 | 第9-11页 |
| 1.3 硅基紫外探测技术的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 研究意义与方法 | 第12-13页 |
| 1.5 研究创新点 | 第13-14页 |
| 1.6 论文主要研究内容与章节安排 | 第14-15页 |
| 第二章 基本原理分析 | 第15-33页 |
| 2.1 标准CMOS工艺中的感光器件 | 第15-19页 |
| 2.1.1 硅片中的硅吸收特性 | 第16-17页 |
| 2.1.2 PN结的光生伏打效应 | 第17-19页 |
| 2.2 光电二极管 | 第19-26页 |
| 2.2.1 光电二极管的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.2.2 光电二极管的性能指标 | 第21-22页 |
| 2.2.3 基于光电二极管结构的硅基紫外探测器 | 第22-26页 |
| 2.3 光栅Photo-Gate | 第26-30页 |
| 2.3.1 光栅的工作原理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 光栅的性能特性参数 | 第27-28页 |
| 2.3.3 基于光栅结构的硅基紫外探测器 | 第28-30页 |
| 2.4 光双极型晶体管 | 第30-32页 |
| 2.4.1 光双极型的工作原理 | 第30-31页 |
| 2.4.2 光双极型晶体管的性能参数 | 第31-32页 |
| 2.5 复合型紫外探测器件设计可行性分析 | 第32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 复合型紫外探测器件设计 | 第33-40页 |
| 3.1 器件结构 | 第33-34页 |
| 3.2 工作原理 | 第34-35页 |
| 3.3 数值模拟方法 | 第35-38页 |
| 3.3.1 半导体器件的计算机模拟 | 第35-36页 |
| 3.3.2 数学基础 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 复合型紫外探测器的物理模型 | 第40-54页 |
| 4.1 基于电荷控制的静态特性模型 | 第40-43页 |
| 4.1.1 基于电荷控制的静态特性模型建立 | 第41-43页 |
| 4.2 P_(well)/N_(well)二极管/PMOSFET模型 | 第43-45页 |
| 4.3 P~+-N_(well)-P_(well)压控模型 | 第45-48页 |
| 4.4 模型的仿真与分析 | 第48-52页 |
| 4.4.1 光阈值特性分析 | 第48-50页 |
| 4.4.2 I-V特性分析 | 第50-51页 |
| 4.4.3 光响应特性分析 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 复合型紫外探测器件的实现 | 第54-62页 |
| 5.1 复合型紫外探测器件的流片 | 第54-56页 |
| 5.1.1 流片器件结构 | 第54-55页 |
| 5.1.2 流片器件版图设计 | 第55-56页 |
| 5.2 复合型紫外探测器件的测试 | 第56-61页 |
| 5.2.1 复合型紫外紫外探测器转移特性的测试 | 第57-58页 |
| 5.2.2 复合型紫外紫外探测器光谱响应特性的测试 | 第58-60页 |
| 5.2.3 复合型紫外紫外探测器I-V特性的测试 | 第60-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 工作总结 | 第62页 |
| 6.2 不足与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录A 个人简历 | 第70-71页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间成果 | 第71页 |
