| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 高频薄膜的研究背景 | 第9-13页 |
| 1.1.1 高频材料的发展 | 第9-11页 |
| 1.1.2 高频薄膜国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2 薄膜的高频磁性理论 | 第13-15页 |
| 1.2.1 动态磁性理论 | 第13-14页 |
| 1.2.2 磁各向异性 | 第14-15页 |
| 1.3 交换偏置效应 | 第15-19页 |
| 1.3.1 交换偏置效应机理模型 | 第16-17页 |
| 1.3.2 交换偏置的影响因素 | 第17-18页 |
| 1.3.3 交换偏置的测量方法 | 第18-19页 |
| 1.4 课题来源及研究内容 | 第19-22页 |
| 1.4.1 课题来源 | 第19页 |
| 1.4.2 论文立意及研究内容 | 第19-22页 |
| 2 交换偏置薄膜的制备及性能表征 | 第22-31页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第22-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2 样品的表征方法 | 第24-31页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.2.3 台阶仪 | 第25-26页 |
| 2.2.4 振动样品磁样计(VSM) | 第26-27页 |
| 2.2.5 矢量网络分析仪(VNA) | 第27-29页 |
| 2.2.6 薄膜各向异性磁电阻测量仪 | 第29-31页 |
| 3 NiFe/FeMn交换偏置双层膜的制备及表征 | 第31-40页 |
| 3.1 NiFe/FeMn交换偏置薄膜的制备 | 第31页 |
| 3.2 NiFe/FeMn交换偏置薄膜的表征 | 第31-39页 |
| 3.2.1 薄膜成分分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 薄膜物相分析 | 第32-33页 |
| 3.2.3 薄膜静态磁性分析 | 第33-35页 |
| 3.2.4 薄膜动态磁性分析 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 NiFe/FeMn交换偏置多周期薄膜的研究 | 第40-46页 |
| 4.1 Ta/[ NiFe/FeMn]_2Ta交换偏置薄膜 | 第40-42页 |
| 4.1.1 薄膜静态磁性分析 | 第40-41页 |
| 4.1.2 薄膜动态态磁性分析 | 第41-42页 |
| 4.2 薄膜高频性能总结 | 第42-43页 |
| 4.3 Ta/[ NiFe/FeMn]_nTa交换偏置薄膜 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 NiFe/FeMn交换偏置双层膜的各向异性磁电阻研究 | 第46-55页 |
| 5.1 各向异性磁电阻的测量原理 | 第46-47页 |
| 5.2 各向异性磁电阻的测量 | 第47-50页 |
| 5.3 交换偏置薄膜磁矩转动与外加磁场的关系 | 第50-52页 |
| 5.4 利用各向异性磁电阻测量样品的交换偏置场 | 第52-54页 |
| 5.4.1 测量原理 | 第52-53页 |
| 5.4.2 AMR测量薄膜交换偏置场 | 第53-54页 |
| 5.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 在读期间已发表和待发表的论文 | 第64页 |
