太阳电池用铸造多晶硅结构缺陷和杂质的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-34页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·太阳电池产业及多晶硅材料的发展 | 第14-18页 |
| ·国际多晶硅产业概况 | 第16-17页 |
| ·我国多晶硅产业现状 | 第17-18页 |
| ·铸造多晶硅材料的特点及其生长工艺 | 第18-20页 |
| ·铸造多晶硅的生长工艺 | 第18-20页 |
| ·铸造多晶硅中的杂质和缺陷及其影响 | 第20-27页 |
| ·硅片的少子寿命及其影响因素 | 第20-21页 |
| ·铸造多晶硅中的原生杂质 | 第21-24页 |
| ·铸造多晶硅中的结构缺陷 | 第24-27页 |
| ·铸造多晶硅材料的工艺改进及相应研究 | 第27-33页 |
| ·晶体生长的工艺优化 | 第27-29页 |
| ·铸造新工艺 | 第29-30页 |
| ·提高硅片质量的后续改进工艺 | 第30-33页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第33-34页 |
| 第三章 实验 | 第34-40页 |
| ·实验方案 | 第34页 |
| ·铸造多晶硅边角锭与中间锭的表征 | 第34页 |
| ·铸造多晶硅低少子寿命区的研究 | 第34页 |
| ·太阳电池制造工艺对边角片低少子寿命带的影响 | 第34页 |
| ·实验设备 | 第34-40页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪 | 第34-36页 |
| ·Micro-PCD的原理及应用 | 第36-38页 |
| ·ICP-MS的原理及应用 | 第38-40页 |
| 第四章 铸造多晶硅边角锭与中间锭的表征 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·铸造多晶硅中间锭与边角锭的寿命分布 | 第40-43页 |
| ·实验样品及过程 | 第40-41页 |
| ·实验结果及讨论 | 第41-43页 |
| ·铸造多晶硅中原生缺陷-位错 | 第43-46页 |
| ·实验样品及过程 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-46页 |
| ·铸造多晶硅中的间隙铁及吸杂 | 第46-49页 |
| ·实验样品及过程 | 第46-47页 |
| ·实验结果与讨论 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 铸造多晶硅锭边缘低少子寿命带的研究 | 第50-60页 |
| ·前言 | 第50-51页 |
| ·实验样品与过程 | 第51-52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-59页 |
| ·碳、氧含量 | 第52-54页 |
| ·金属杂质及Fe-B | 第54-57页 |
| ·低少子寿命带缺陷的分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 太阳电池制造工艺对低少子寿命带的影响 | 第60-70页 |
| ·前言 | 第60页 |
| ·低少子寿命带对边角片电池效率的影响 | 第60-62页 |
| ·边角片电池的制造 | 第60-61页 |
| ·边角片电池的表征 | 第61-62页 |
| ·电池制造各工艺对低少子寿命带的影响 | 第62-69页 |
| ·实验样品及过程 | 第62-63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-69页 |
| ·磷扩散对低少子寿命带的影响 | 第63-66页 |
| ·铝吸杂对低少子寿命带的影响 | 第66-68页 |
| ·氢钝化对低少子寿命带的影响 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第七章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 个人简历 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第82页 |
