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基于外腔半导体注入锁定的拉曼脉冲技术

致谢第1-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
目录第8-10页
第1章 绪论第10-16页
 §1.1 内态冷原子干涉仪第10-12页
 §1.2 拉曼脉冲第12-14页
 §1.3 论文的主要内容第14-16页
第2章 内态原子干涉仪的工作原理第16-24页
 §2.1 二能级原子的拉比振荡第16-18页
 §2.2 三能级原子的受激拉曼跃迁第18-20页
 §2.3 拉曼脉冲型原子干涉仪的路径积分推导第20-24页
第3章 拉曼脉冲的制备方法第24-34页
 §3.1 电锁相法第24-27页
 §3.2 全光学锁相法第27-30页
 §3.3 对上述各方法的总结第30-34页
第4章 拉曼脉冲制备的实验工作第34-46页
 §4.1 外腔半导体激光器(ECDL)第34-37页
 §4.2 外腔半导体激光器的稳频第37-43页
 §4.3 拉曼脉冲的光学系统第43-46页
第5章 实验结果及分析第46-57页
 §5.1 拍频信号及相位相干度的测量第46-51页
 §5.2 与传统DL全光学锁相法的对比研究第51-53页
 §5.3 声光开关及拉曼光的应用第53-57页
第6章 总结和展望第57-58页
附录A Rb原子基态超精细结构跃迁谱线(D2线)第58-60页
附录B 示波器波形信号峰值提取程序第60-61页
参考文献第61-64页
攻读硕士期间发表的论文第64-65页
作者简历第65页

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