| 中文摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第7-8页 |
| 1.2 太阳能电池组保护国内外发展状态和发展趋向 | 第8-10页 |
| 1.2.1 太阳能电池组保护国外的发展状态和发展趋向 | 第8-9页 |
| 1.2.2 太阳能电池组保护国内的发展状态及发展趋向 | 第9-10页 |
| 1.3 本文主要研究的内容 | 第10-11页 |
| 第二章 太阳能电池的热斑效应 | 第11-20页 |
| 2.1 太阳能电池 | 第11-12页 |
| 2.1.1 太阳能电池简介 | 第11页 |
| 2.1.2 太阳能电池工作原理 | 第11-12页 |
| 2.2 热斑效应 | 第12-15页 |
| 2.2.1 热斑效应的产生机理 | 第12-13页 |
| 2.2.2 热斑效应的影响因素 | 第13-14页 |
| 2.2.3 热斑效应的危害 | 第14页 |
| 2.2.4 热斑效应的防护 | 第14-15页 |
| 2.3 旁路二极管 | 第15-19页 |
| 2.3.1 PN结 | 第15-16页 |
| 2.3.2 二极管 | 第16-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 太阳能电池保护芯片元件的设计 | 第20-28页 |
| 3.1 太阳能电池组件 | 第20页 |
| 3.2 太阳能电池组中旁路二极管导通原理 | 第20-21页 |
| 3.3 设计时重要参数 | 第21-23页 |
| 3.3.1 P-N结有效面积 | 第21-22页 |
| 3.3.2 击穿电压 | 第22-23页 |
| 3.4 芯片设计 | 第23-26页 |
| 3.4.1 放电方向芯片 | 第23-24页 |
| 3.4.2 充电方向芯片 | 第24-26页 |
| 3.5 放电方向与充电方向正向压降的计算 | 第26-27页 |
| 3.5.1 放电方向肖特基芯片正向压降 | 第26页 |
| 3.5.2 充电方向芯片的正向压降 | 第26-27页 |
| 3.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 太阳能电池保护电路芯片元件的制作 | 第28-44页 |
| 4.1 保护电路芯片元件制作 | 第28-29页 |
| 4.2 氧化 | 第29-30页 |
| 4.3 光刻 | 第30-33页 |
| 4.3.1 光刻掩模版的设计 | 第31页 |
| 4.3.2 光刻工艺流程 | 第31-33页 |
| 4.4 扩散 | 第33-35页 |
| 4.5 表面钝化 | 第35-36页 |
| 4.6 背面减薄 | 第36页 |
| 4.7 双面金属化 | 第36-37页 |
| 4.8 划片 | 第37-39页 |
| 4.9 基座焊接 | 第39-41页 |
| 4.9.1 真空烧结 | 第39-40页 |
| 4.9.2 烧结工艺流程 | 第40-41页 |
| 4.10 封装 | 第41-42页 |
| 4.10.1 平行封焊机的工作原理 | 第41页 |
| 4.10.2 封装工艺流程 | 第41-42页 |
| 4.11 测试 | 第42-43页 |
| 4.12 本章小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |