摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-30页 |
1.1 超分辨率成像技术研究简介 | 第12-18页 |
1.1.1 超分辨率成像技术研究进展 | 第12-17页 |
1.1.2 基于表面等离子体激元研究的结构光照明显微技术 | 第17-18页 |
1.2 石墨烯等离子体激元介绍 | 第18-27页 |
1.2.1 石墨烯能带结构 | 第18-20页 |
1.2.2 石墨烯光电性质 | 第20-24页 |
1.2.3 石墨烯等离子体激元基础 | 第24-27页 |
1.3 论文主要内容与结构安排 | 第27-30页 |
第2章 石墨烯表面等离子体激元的激发产生与传播 | 第30-50页 |
2.1 石墨烯表面等离子体的激发产生 | 第30-34页 |
2.1.1 表面等离子体激发方法 | 第30-33页 |
2.1.2 石墨烯与金属表面等离子体激元的电学特性 | 第33-34页 |
2.2 单层石墨烯表面等离子体激元的色散关系 | 第34-39页 |
2.2.1 两层介质下石墨烯等离子体激元色散关系 | 第34-37页 |
2.2.2 三层介质下石墨烯等离子体激元色散关系 | 第37-39页 |
2.3 基于双层石墨烯的纳米腔结构设计与原理分析 | 第39-48页 |
2.3.1 石墨烯纳米腔结构色散关系 | 第39-42页 |
2.3.2 石墨烯纳米腔与单层结构激发等离子体激元的色散关系比较 | 第42-43页 |
2.3.3 FDTD Solutions仿真软件介绍 | 第43-46页 |
2.3.4 纳米腔结构中石墨烯表面等离子体光场分布特征 | 第46-48页 |
2.4 本章小结 | 第48-50页 |
第3章 石墨烯表面等离子体干涉光场的调控技术研究 | 第50-60页 |
3.1 石墨烯纳米腔结构中膜层材料对表面等离子体干涉光场的调控 | 第50-53页 |
3.1.1 基底与覆盖层材料对表面等离子体光场影响 | 第50-51页 |
3.1.2 不同金属光栅结构对表面等离子体激元激发影响 | 第51-52页 |
3.1.3 不同非金属光栅结构对表面等离子体激元激发影响 | 第52-53页 |
3.2 石墨烯纳米腔结构中材料层厚度的调控 | 第53-57页 |
3.2.1 结构中二氧化硅基底/覆盖层厚度的调控 | 第53-54页 |
3.2.2 结构中光栅超表面层厚度与银光栅占空比/周期的调控 | 第54-56页 |
3.2.3 纳米腔结构高度对于等离子体光场的波长影响 | 第56-57页 |
3.3 石墨烯纳米腔结构中上下层石墨烯化学势的调控 | 第57-58页 |
3.3.1 上层石墨烯化学势对石墨烯干涉光场的调控 | 第57-58页 |
3.3.2 下层石墨烯化学势对石墨烯干涉光场的调控 | 第58页 |
3.4 本章小结 | 第58-60页 |
第4章 石墨烯表面等离子体干涉光场在超分辨率成像中应用 | 第60-68页 |
4.1 等离子体结构光照明技术原理 | 第60-61页 |
4.2 石墨烯纳米腔结构应用于超分辨率成像技术 | 第61-65页 |
4.2.1 平面波照射下量子点在远场下的衍射 | 第62-63页 |
4.2.2 纳米腔结构中量子点受等离子体光场照明分辨率的提高 | 第63-65页 |
4.3 本章小结 | 第65-68页 |
第5章 总结与展望 | 第68-72页 |
5.1 论文总结 | 第68-69页 |
5.2 论文创新点 | 第69页 |
5.3 未来研究工作展望 | 第69-72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
在学期间学术成果情况 | 第76-77页 |
指导教师及作者简介 | 第77-78页 |
致谢 | 第78页 |