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基于石墨烯纳米腔结构的超分辨光场调控技术与应用研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第12-30页
    1.1 超分辨率成像技术研究简介第12-18页
        1.1.1 超分辨率成像技术研究进展第12-17页
        1.1.2 基于表面等离子体激元研究的结构光照明显微技术第17-18页
    1.2 石墨烯等离子体激元介绍第18-27页
        1.2.1 石墨烯能带结构第18-20页
        1.2.2 石墨烯光电性质第20-24页
        1.2.3 石墨烯等离子体激元基础第24-27页
    1.3 论文主要内容与结构安排第27-30页
第2章 石墨烯表面等离子体激元的激发产生与传播第30-50页
    2.1 石墨烯表面等离子体的激发产生第30-34页
        2.1.1 表面等离子体激发方法第30-33页
        2.1.2 石墨烯与金属表面等离子体激元的电学特性第33-34页
    2.2 单层石墨烯表面等离子体激元的色散关系第34-39页
        2.2.1 两层介质下石墨烯等离子体激元色散关系第34-37页
        2.2.2 三层介质下石墨烯等离子体激元色散关系第37-39页
    2.3 基于双层石墨烯的纳米腔结构设计与原理分析第39-48页
        2.3.1 石墨烯纳米腔结构色散关系第39-42页
        2.3.2 石墨烯纳米腔与单层结构激发等离子体激元的色散关系比较第42-43页
        2.3.3 FDTD Solutions仿真软件介绍第43-46页
        2.3.4 纳米腔结构中石墨烯表面等离子体光场分布特征第46-48页
    2.4 本章小结第48-50页
第3章 石墨烯表面等离子体干涉光场的调控技术研究第50-60页
    3.1 石墨烯纳米腔结构中膜层材料对表面等离子体干涉光场的调控第50-53页
        3.1.1 基底与覆盖层材料对表面等离子体光场影响第50-51页
        3.1.2 不同金属光栅结构对表面等离子体激元激发影响第51-52页
        3.1.3 不同非金属光栅结构对表面等离子体激元激发影响第52-53页
    3.2 石墨烯纳米腔结构中材料层厚度的调控第53-57页
        3.2.1 结构中二氧化硅基底/覆盖层厚度的调控第53-54页
        3.2.2 结构中光栅超表面层厚度与银光栅占空比/周期的调控第54-56页
        3.2.3 纳米腔结构高度对于等离子体光场的波长影响第56-57页
    3.3 石墨烯纳米腔结构中上下层石墨烯化学势的调控第57-58页
        3.3.1 上层石墨烯化学势对石墨烯干涉光场的调控第57-58页
        3.3.2 下层石墨烯化学势对石墨烯干涉光场的调控第58页
    3.4 本章小结第58-60页
第4章 石墨烯表面等离子体干涉光场在超分辨率成像中应用第60-68页
    4.1 等离子体结构光照明技术原理第60-61页
    4.2 石墨烯纳米腔结构应用于超分辨率成像技术第61-65页
        4.2.1 平面波照射下量子点在远场下的衍射第62-63页
        4.2.2 纳米腔结构中量子点受等离子体光场照明分辨率的提高第63-65页
    4.3 本章小结第65-68页
第5章 总结与展望第68-72页
    5.1 论文总结第68-69页
    5.2 论文创新点第69页
    5.3 未来研究工作展望第69-72页
参考文献第72-76页
在学期间学术成果情况第76-77页
指导教师及作者简介第77-78页
致谢第78页

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