| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·介观系统 | 第12-13页 |
| ·无序均匀系统的量子输运 | 第13-22页 |
| ·弱局域化现象 | 第14-19页 |
| ·退相干散射机制 | 第19-20页 |
| ·电子-电子相互作用 | 第20-22页 |
| ·金属性颗粒系统中的量子输运 | 第22-27页 |
| ·金属颗粒系统的纵向输运 | 第22-25页 |
| ·金属颗粒系统的霍尔输运 | 第25-27页 |
| ·ITO透明导电氧化物简介 | 第27-33页 |
| ·ITO的晶体结构和电子结构 | 第28-31页 |
| ·ITO薄膜的电学性质 | 第31-33页 |
| ·存在的问题以及主要工作 | 第33-36页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第36-44页 |
| ·样品的制备 | 第36-39页 |
| ·ITO和In_2O_3薄膜的制备 | 第36-37页 |
| ·射频磁控溅射仪简介 | 第37-38页 |
| ·薄膜的溅射条件 | 第38-39页 |
| ·结构表征与物性测量 | 第39-44页 |
| ·表面形貌表征 | 第39-40页 |
| ·晶体结构表征 | 第40页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第40-41页 |
| ·光学性质测量 | 第41-42页 |
| ·电输运性质测量 | 第42-44页 |
| 第三章 超薄ITO薄膜的电输运机制 | 第44-76页 |
| ·超薄ITO薄膜的微观结构和电学性质 | 第44-58页 |
| ·薄膜厚度的确定 | 第44-46页 |
| ·表面形貌和颗粒尺寸的分析 | 第46-48页 |
| ·颗粒薄膜高温区的金属导电性 | 第48-51页 |
| ·颗粒间的电子-电子相互作用 | 第51-58页 |
| ·颗粒薄膜传导电子的退相干机制 | 第58-63页 |
| ·二维ITO薄膜中颗粒体系到均匀体系的转变 | 第63-74页 |
| ·薄膜的晶体结构和表面形貌分析 | 第63-66页 |
| ·电子-电子相互作用对均匀和颗粒薄膜电导率的影响 | 第66-71页 |
| ·电子-电子相互作用对均匀和颗粒薄膜霍尔系数的影响 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 三维ITO薄膜的电输运机制 | 第76-96页 |
| ·氧分压对薄膜微结构和电输运的影响 | 第76-82页 |
| ·三维ITO薄膜的晶体结构 | 第76-78页 |
| ·三维ITO薄膜的表面形貌 | 第78-80页 |
| ·氧分压对薄膜电输运性质的影响 | 第80-82页 |
| ·三维ITO薄膜的低温量子效应 | 第82-94页 |
| ·低温区薄膜电导率的修正 | 第83-84页 |
| ·电子传导的退相干机制 | 第84-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第五章 In_2O_3薄膜的导电性和超薄膜ES/Mott变程跳跃导电机制 | 第96-116页 |
| ·晶体结构分析 | 第96-99页 |
| ·光学结果分析 | 第99-103页 |
| ·In_2O_3薄膜的透射谱和光学带隙 | 第99-101页 |
| ·In_2O_3薄膜的光致发光性质 | 第101-103页 |
| ·In_2O_3薄膜的高电导率的来源 | 第103-110页 |
| ·电阻率的测量 | 第103-104页 |
| ·霍尔效应的测量和分析 | 第104-108页 |
| ·“三区域”能带模型 | 第108-110页 |
| ·In_2O_3薄膜中ES/Mott变程跳跃的导电行为 | 第110-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第六章 结论 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-132页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
