摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
目录 | 第6-9页 |
1 绪论 | 第9-25页 |
·引言 | 第9-14页 |
·量子力学中的时间概念 | 第9-10页 |
·量子隧穿效应的概念及生产应用 | 第10-12页 |
·宏观量子隧道效应 | 第12页 |
·半导体的隧道效应 | 第12-13页 |
·隧穿时间的研究探索 | 第13-14页 |
·隧穿时间的理论研究方法 | 第14-16页 |
·波包散射法 | 第14-15页 |
·路径积分法 | 第15-16页 |
·物理时钟法 | 第16页 |
·量子隧穿时间的各种表述 | 第16-21页 |
·相位时间(phase time) | 第17页 |
·居留时间(dwell time) | 第17-18页 |
·半经典时间(semi-classical time) | 第18-19页 |
·拉莫尔时间(Larmor time) | 第19页 |
·玻姆轨道时间(Bohm trajectory time) | 第19-20页 |
·复数时间(complex time) | 第20页 |
·能量转移时间(energy transfer time) | 第20-21页 |
·量子隧穿的实验研究方法 | 第21-22页 |
·课题研究的意义及其主要内容 | 第22-25页 |
·课题研究的目的和意义 | 第22-23页 |
·课题的研究背景 | 第23页 |
·国内外研究现状分析 | 第23页 |
·课题研究的过程 | 第23-24页 |
·主要内容及要解决的问题 | 第24-25页 |
2 理论模型和PGF | 第25-33页 |
·引言 | 第25页 |
·理论基础 | 第25-26页 |
·波函数及其性质 | 第25页 |
·薛定谔方程 | 第25-26页 |
·格林函数 | 第26页 |
·有限差分方法(FDM) | 第26页 |
·PGF近似 | 第26-33页 |
3 单势垒结构的隧穿寿命 | 第33-42页 |
·引言 | 第33-35页 |
·GaAs的基本性质 | 第33-34页 |
·GaAs材料的应用前景 | 第34-35页 |
·单势垒情况下PGF有效性的验证 | 第35-36页 |
·结果与讨论 | 第36-41页 |
·GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As单势垒结构的隧穿寿命 | 第37页 |
·GaAs-AlGaAs单势垒结构的隧穿寿命 | 第37-38页 |
·GaAs-AlAs单势垒结构的隧穿寿命 | 第38页 |
·势垒厚度对隧穿寿命的影响讨论 | 第38-39页 |
·势阱宽度对隧穿寿命的影响 | 第39-40页 |
·势垒高度V_0对隧穿寿命的影响 | 第40-41页 |
·本章小结 | 第41-42页 |
4 多势垒结构的隧穿寿命 | 第42-54页 |
·引言 | 第42-46页 |
·量子效应器件的分类和特点 | 第42-43页 |
·共振隧穿器件 | 第43-44页 |
·量子点器件 | 第44-45页 |
·制造量子效应器件的方法 | 第45-46页 |
·多势垒情况下PGF有效性的验证 | 第46-47页 |
·结果和讨论 | 第47-53页 |
·双势垒结构的隧穿寿命 | 第47-48页 |
·多势垒结构的隧穿寿命 | 第48-49页 |
·多势垒结构中势垒厚度对隧穿寿命的影响 | 第49-50页 |
·多势垒结构中势阱宽度对隧穿寿命的影响 | 第50-51页 |
·势垒的平均分割对隧穿寿命的影响 | 第51-52页 |
·分割宽度对隧穿寿命的影响 | 第52-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
5 结论与展望 | 第54-56页 |
·本文结论 | 第54-55页 |
·展望 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |