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一维电子隧穿寿命的理论研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-9页
1 绪论第9-25页
   ·引言第9-14页
     ·量子力学中的时间概念第9-10页
     ·量子隧穿效应的概念及生产应用第10-12页
     ·宏观量子隧道效应第12页
     ·半导体的隧道效应第12-13页
     ·隧穿时间的研究探索第13-14页
   ·隧穿时间的理论研究方法第14-16页
     ·波包散射法第14-15页
     ·路径积分法第15-16页
     ·物理时钟法第16页
   ·量子隧穿时间的各种表述第16-21页
     ·相位时间(phase time)第17页
     ·居留时间(dwell time)第17-18页
     ·半经典时间(semi-classical time)第18-19页
     ·拉莫尔时间(Larmor time)第19页
     ·玻姆轨道时间(Bohm trajectory time)第19-20页
     ·复数时间(complex time)第20页
     ·能量转移时间(energy transfer time)第20-21页
   ·量子隧穿的实验研究方法第21-22页
   ·课题研究的意义及其主要内容第22-25页
     ·课题研究的目的和意义第22-23页
     ·课题的研究背景第23页
     ·国内外研究现状分析第23页
     ·课题研究的过程第23-24页
     ·主要内容及要解决的问题第24-25页
2 理论模型和PGF第25-33页
   ·引言第25页
   ·理论基础第25-26页
     ·波函数及其性质第25页
     ·薛定谔方程第25-26页
     ·格林函数第26页
     ·有限差分方法(FDM)第26页
   ·PGF近似第26-33页
3 单势垒结构的隧穿寿命第33-42页
   ·引言第33-35页
     ·GaAs的基本性质第33-34页
     ·GaAs材料的应用前景第34-35页
   ·单势垒情况下PGF有效性的验证第35-36页
   ·结果与讨论第36-41页
     ·GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As单势垒结构的隧穿寿命第37页
     ·GaAs-AlGaAs单势垒结构的隧穿寿命第37-38页
     ·GaAs-AlAs单势垒结构的隧穿寿命第38页
     ·势垒厚度对隧穿寿命的影响讨论第38-39页
     ·势阱宽度对隧穿寿命的影响第39-40页
     ·势垒高度V_0对隧穿寿命的影响第40-41页
   ·本章小结第41-42页
4 多势垒结构的隧穿寿命第42-54页
   ·引言第42-46页
     ·量子效应器件的分类和特点第42-43页
     ·共振隧穿器件第43-44页
     ·量子点器件第44-45页
     ·制造量子效应器件的方法第45-46页
   ·多势垒情况下PGF有效性的验证第46-47页
   ·结果和讨论第47-53页
     ·双势垒结构的隧穿寿命第47-48页
     ·多势垒结构的隧穿寿命第48-49页
     ·多势垒结构中势垒厚度对隧穿寿命的影响第49-50页
     ·多势垒结构中势阱宽度对隧穿寿命的影响第50-51页
     ·势垒的平均分割对隧穿寿命的影响第51-52页
     ·分割宽度对隧穿寿命的影响第52-53页
   ·本章小结第53-54页
5 结论与展望第54-56页
   ·本文结论第54-55页
   ·展望第55-56页
参考文献第56-60页
致谢第60-61页
攻读硕士学位期间发表的论文第61页

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