| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| ·InP基短波长3-5um量子级联激光器的研究背景 | 第11-13页 |
| ·InP基短波长3-5um量子级联激光器的研究意义 | 第13-15页 |
| 第2章 InP基短波长3-5um量子级联激光器的基本结构与分析 | 第15-20页 |
| ·基本结构和分析方法 | 第15-16页 |
| ·器件相关参数 | 第16-20页 |
| 第3章 InP基短波长3-5um量子级联激光器的先进设计 | 第20-29页 |
| ·实际电流路径 | 第20-21页 |
| ·三阱垂直跃迁 | 第21-22页 |
| ·双光学声子跃迁 | 第22-23页 |
| ·非共振抽取式（nonresonant extraction） | 第23-25页 |
| ·超强耦合（strong coupling） | 第25-29页 |
| 第4章 InP基短波长（3-5um）量子级联激光器的工艺 | 第29-45页 |
| ·掩膜版的形成（hard mask） | 第29-34页 |
| ·Inductively coupled plasma（ICP）干法刻蚀 | 第34-38页 |
| ·顶端窗口（top window） | 第38-42页 |
| ·电极 | 第42-43页 |
| ·测试 | 第43-45页 |
| 第5章 室温下InP材料用C12\Ar\H2干法刻蚀（ICP）的研究 | 第45-56页 |
| ·刻蚀速率和氯气体积比之间的关系 | 第48-50页 |
| ·刻蚀速率和氩气体积比之间的关系 | 第50-51页 |
| ·刻蚀速率和DC Bias分别和RF Power之间的关系 | 第51-52页 |
| ·刻蚀速率和ICP Power之间的关系 | 第52-53页 |
| ·最好刻蚀结果（SEM，AFM） | 第53-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第60-62页 |
| 指导教师及作者简介 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
