含时双势垒中隧穿磁电阻的研究

摘要	第1-7页
Abstract	第7-12页
第一章 引言	第12-16页
·研究背景	第12-13页
·隧道磁电阻的研究现状	第13-14页
·含时隧穿的研究现状	第14页
·研究意义和研究内容	第14-16页
第二章 理论基础	第16-29页
·基本概念	第16-25页
·自旋相关的输运	第16页
·自旋注入	第16-17页
·电子的自旋极化隧穿	第17-19页
·磁电阻效应	第19-22页
·磁性双隧道结	第22-24页
·渡越时间	第24-25页
·Julliere隧穿概率理论	第25-26页
·Slonczewski量子力学的隧穿方法	第26-27页
·转移矩阵法	第27-29页
第三章 含时微扰交变电场对双势垒中电子隧穿的影响	第29-43页
·理论模型	第29-30页
·不考虑外场时电子的隧穿情况	第30-37页
·无外场时的理论模型	第30-34页
·无外场时TMR变化情况	第34-36页
·转移矩阵法计算结果与讨论	第36-37页
·外加微扰交变电场对电子隧穿的影响	第37-43页
·含有交变电场的理论模型	第37-39页
·外电场影响下TMR变化情况	第39-41页
·微扰论的方法计算结果与讨论	第41-43页
第四章 结论	第43-45页
参考文献	第45-48页
致谢	第48-49页
附录(攻读学位期间发表论文目录)	第49-50页