| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·半导体技术的发展与现状 | 第8-9页 |
| ·半导体存储器件的发展现状 | 第9-12页 |
| ·纳米硅非挥发性存储器简介 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 纳米硅非挥发性存储器的工艺处理研究 | 第17-33页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·反应离子刻蚀(RIE)多晶硅获得独立纳米硅浮栅MOS结构单元 | 第18-25页 |
| ·纳米球模板反应离子刻蚀获得阻变纳米硅阵列 | 第25-27页 |
| ·光刻在提高纳米硅阻变存储器电学特性中的应用 | 第27-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 纳米硅浮栅MOS结构电学特性研究 | 第33-47页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·纳米硅浮栅MOS结构电容-电压分析 | 第34-41页 |
| ·纳米硅浮栅MOS结构电导-电压分析 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 总结 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 硕士期间发表论文与成果 | 第49-50页 |