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In2S3基稀磁半导体及几种硫化物高压相变研究

内容提要第1-5页
中文摘要第5-8页
Abstract第8-14页
第一章 绪论第14-36页
   ·纳米材料概述第14-15页
   ·稀磁半导体第15-19页
     ·稀磁半导体磁性理论第16-19页
   ·硫属化合物的基本性质第19-22页
     ·稀土倍半硫化物的性能第20-22页
   ·硫属化合物的制备方法第22-26页
     ·化学沉淀法第22页
     ·水热/溶剂热法第22-25页
     ·微乳液法第25页
     ·热分解法第25-26页
   ·硫属化合物的高压研究现状第26-33页
     ·高压科学简介第26-27页
     ·高压实验装置第27-29页
     ·纳米材料的高压研究现状第29-32页
     ·硫属化合物高压研究现状第32-33页
   ·本论文的研究目的和意义第33-34页
   ·论文各部分主要内容第34-36页
第二章 In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的制备第36-44页
   ·引言第36-38页
   ·实验方法与装置第38-39页
   ·实验所需试剂第39-40页
   ·测试仪器第40-41页
   ·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的制备第41-43页
     ·反应液的配制第41-42页
     ·制备过程第42页
     ·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的制备原理第42-43页
   ·本章小结第43-44页
第三章 In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的表征与光学研究第44-58页
   ·引言第44-45页
   ·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的结构表征第45-52页
     ·In_2S_3的结构表征第45-47页
     ·In_2S_3:Eu的结构表征第47-50页
     ·In_2S_3:Ce的结构表征第50-52页
   ·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的生长机制第52-53页
   ·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的光学性质研究第53-56页
     ·In_2S_3纳米颗粒的光致发光第53页
     ·In_2S_3:Eu纳米颗粒的光致发光第53-55页
     ·In_2S_3:Ce纳米颗粒的光致发光第55-56页
   ·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的光学对比研究第56-57页
   ·本章小结第57-58页
第四章 In_2S_3基稀磁半导体的磁性研究第58-70页
   ·引言第58-59页
   ·In_2S_3:Eu纳米颗粒的磁性研究第59-61页
   ·In_2S_3:Eu纳米颗粒磁性分析第61-65页
     ·In_2S_3:Eu纳米颗粒的磁性的来源第61-63页
     ·In_2S_3:Eu纳米颗粒的磁性机制第63-65页
   ·In_2S_3:Ce纳米颗粒的磁性研究第65-67页
   ·In_2S_3:Ce磁性机制探讨第67-68页
   ·本章小结第68-70页
第五章 In_2S_3和In_2S_3:Ce纳米颗粒的高压相变研究第70-80页
   ·引言第70-71页
   ·In_2S_3和In_2S_3:Ce纳米颗粒的实验过程第71-74页
     ·高压实验样品第71-72页
     ·样品形貌、尺寸和常压晶体结构的表征第72-74页
   ·高压X-ray衍射实验结果与分析第74-78页
   ·本章小结第78-80页
第六章 稀土金属硫化物的高压结构相变研究第80-96页
   ·引言第80页
   ·高压实验方法第80-81页
   ·La2S3的高压相变研究第81-84页
   ·Ho_2S_3的高压相变研究第84-89页
   ·Tm2S3的高压相变研究第89-94页
   ·Ho_2S_3和Tm2S3高压对比讨论第94页
   ·本章小结第94-96页
第七章 总结与展望第96-98页
   ·总结第96-97页
   ·展望第97-98页
参考文献第98-108页
攻读博士期间研究成果第108-110页
作者简历第110-112页
致谢第112页

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