内容提要 | 第1-5页 |
中文摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-14页 |
第一章 绪论 | 第14-36页 |
·纳米材料概述 | 第14-15页 |
·稀磁半导体 | 第15-19页 |
·稀磁半导体磁性理论 | 第16-19页 |
·硫属化合物的基本性质 | 第19-22页 |
·稀土倍半硫化物的性能 | 第20-22页 |
·硫属化合物的制备方法 | 第22-26页 |
·化学沉淀法 | 第22页 |
·水热/溶剂热法 | 第22-25页 |
·微乳液法 | 第25页 |
·热分解法 | 第25-26页 |
·硫属化合物的高压研究现状 | 第26-33页 |
·高压科学简介 | 第26-27页 |
·高压实验装置 | 第27-29页 |
·纳米材料的高压研究现状 | 第29-32页 |
·硫属化合物高压研究现状 | 第32-33页 |
·本论文的研究目的和意义 | 第33-34页 |
·论文各部分主要内容 | 第34-36页 |
第二章 In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的制备 | 第36-44页 |
·引言 | 第36-38页 |
·实验方法与装置 | 第38-39页 |
·实验所需试剂 | 第39-40页 |
·测试仪器 | 第40-41页 |
·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的制备 | 第41-43页 |
·反应液的配制 | 第41-42页 |
·制备过程 | 第42页 |
·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的制备原理 | 第42-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
第三章 In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的表征与光学研究 | 第44-58页 |
·引言 | 第44-45页 |
·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的结构表征 | 第45-52页 |
·In_2S_3的结构表征 | 第45-47页 |
·In_2S_3:Eu的结构表征 | 第47-50页 |
·In_2S_3:Ce的结构表征 | 第50-52页 |
·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的生长机制 | 第52-53页 |
·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的光学性质研究 | 第53-56页 |
·In_2S_3纳米颗粒的光致发光 | 第53页 |
·In_2S_3:Eu纳米颗粒的光致发光 | 第53-55页 |
·In_2S_3:Ce纳米颗粒的光致发光 | 第55-56页 |
·In_2S_3,In_2S_3:Eu和In_2S_3:Ce的光学对比研究 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第四章 In_2S_3基稀磁半导体的磁性研究 | 第58-70页 |
·引言 | 第58-59页 |
·In_2S_3:Eu纳米颗粒的磁性研究 | 第59-61页 |
·In_2S_3:Eu纳米颗粒磁性分析 | 第61-65页 |
·In_2S_3:Eu纳米颗粒的磁性的来源 | 第61-63页 |
·In_2S_3:Eu纳米颗粒的磁性机制 | 第63-65页 |
·In_2S_3:Ce纳米颗粒的磁性研究 | 第65-67页 |
·In_2S_3:Ce磁性机制探讨 | 第67-68页 |
·本章小结 | 第68-70页 |
第五章 In_2S_3和In_2S_3:Ce纳米颗粒的高压相变研究 | 第70-80页 |
·引言 | 第70-71页 |
·In_2S_3和In_2S_3:Ce纳米颗粒的实验过程 | 第71-74页 |
·高压实验样品 | 第71-72页 |
·样品形貌、尺寸和常压晶体结构的表征 | 第72-74页 |
·高压X-ray衍射实验结果与分析 | 第74-78页 |
·本章小结 | 第78-80页 |
第六章 稀土金属硫化物的高压结构相变研究 | 第80-96页 |
·引言 | 第80页 |
·高压实验方法 | 第80-81页 |
·La2S3的高压相变研究 | 第81-84页 |
·Ho_2S_3的高压相变研究 | 第84-89页 |
·Tm2S3的高压相变研究 | 第89-94页 |
·Ho_2S_3和Tm2S3高压对比讨论 | 第94页 |
·本章小结 | 第94-96页 |
第七章 总结与展望 | 第96-98页 |
·总结 | 第96-97页 |
·展望 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-108页 |
攻读博士期间研究成果 | 第108-110页 |
作者简历 | 第110-112页 |
致谢 | 第112页 |