Ti/Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7/Pt异质结的电阻转变效应与磁性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·新型非易失性存储器 | 第11-15页 |
| ·铁电存储器(FRAM) | 第12页 |
| ·磁电阻存储器(MRAM) | 第12页 |
| ·相存储器(PRAM) | 第12-13页 |
| ·阻变存储器(RRAM) | 第13-15页 |
| ·RRAM 研究进展 | 第15-21页 |
| ·电阻转变材料研究现状 | 第15-16页 |
| ·电阻转变效应分类 | 第16-17页 |
| ·电阻转变机制研究 | 第17-20页 |
| ·RRAM 磁性研究 | 第20-21页 |
| ·本文研究意义和内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法与表征 | 第23-31页 |
| ·靶材的制备和表征 | 第23-24页 |
| ·脉冲激光沉积制备 PSCMO 薄膜 | 第24-26页 |
| ·脉冲激光沉积介绍 | 第24-26页 |
| ·薄膜制备 | 第26页 |
| ·直流磁控溅射沉积制备电极 | 第26-28页 |
| ·直流磁控溅射沉积介绍 | 第26-27页 |
| ·掩膜板法制备电极 | 第27-28页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第28-31页 |
| ·薄膜的结构和成分表征 | 第28-29页 |
| ·薄膜的电学性能表征 | 第29页 |
| ·薄膜的磁学性能表征 | 第29-31页 |
| 第三章 PSCMO 薄膜的阻变特性 | 第31-39页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·PSCMO 阻变薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·PSCMO 阻变薄膜的表征与结果分析 | 第32-36页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第32-33页 |
| ·薄膜的形貌分析 | 第33-34页 |
| ·薄膜的阻变特性 | 第34页 |
| ·器件的非易失性研究 | 第34-36页 |
| ·PSCMO 薄膜阻变特性的机理讨论 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 PSCMO 薄膜的磁性 | 第39-44页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·PSCMO 薄膜的制备 | 第39-40页 |
| ·样品的表征与结果分析 | 第40-43页 |
| ·器件的结构、形貌表征 | 第40页 |
| ·器件的磁性测量 | 第40-42页 |
| ·不同方法制备顶电极的磁性测量 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结论与展望 | 第44-45页 |
| ·论文总结 | 第44页 |
| ·展望和建议 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第53页 |
