| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-31页 |
| ·有机电存储器件概述 | 第11-14页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·有机电存储器件基本结构和制备 | 第11-12页 |
| ·有机电存储器件工作原理和基本性能参数 | 第12-13页 |
| ·有机电存储器件的存储类型 | 第13-14页 |
| ·聚合物电存储材料研究进展 | 第14-26页 |
| ·聚合物电存储材料的特点 | 第14页 |
| ·聚合物电存储材料的分类 | 第14-22页 |
| ·聚合物电存储材料的发展趋势 | 第22-26页 |
| ·多进制电存储材料的研究进展 | 第26-28页 |
| ·研究多进制电存储材料的意义 | 第26页 |
| ·多进制电存储材料设计理念 | 第26-28页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第28-29页 |
| ·本论文的研究内容 | 第29-30页 |
| ·本论文的创新点 | 第30-31页 |
| 第二章 含咔唑-萘酐的嵌段及无规共聚物的合成及其三进制存储性能的研究 | 第31-42页 |
| 摘要 | 第31页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-35页 |
| ·实验原料和试剂 | 第32页 |
| ·PMCz8-b/co-PMBNa2合成步骤 | 第32-34页 |
| ·测试仪器 | 第34页 |
| ·器件制备 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·聚合物 PMCz8-b/co-PMBNa2表征 | 第35页 |
| ·聚合物 PMCz8-b/co-PMBNa2电存储性能表征 | 第35-39页 |
| ·聚合物 PMCzx-co-PMBNay电存储性能表征 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 萘酐基团空间位阻效应对三进制电存储器件性能影响研究 | 第42-54页 |
| 摘要 | 第42页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验部分 | 第43-45页 |
| ·实验原料和试剂 | 第43页 |
| ·聚合物 PMNN 和 PMNB 的合成 | 第43-45页 |
| ·测试仪器 | 第45页 |
| ·器件制备 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-52页 |
| ·聚合物 PMNN 和 PMNB 表征 | 第45-46页 |
| ·聚合物 PMNN 和 PMNB 电存储性能 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 构象与电荷陷阱协调调控聚合物三进制电存储过程的研究 | 第54-63页 |
| 摘要 | 第54页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验部分 | 第54-56页 |
| ·实验原料和试剂 | 第54-55页 |
| ·P4VPCz 合成步骤 | 第55页 |
| ·测试仪器 | 第55-56页 |
| ·器件制备 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-62页 |
| ·聚合物 P4VPCz 结构表征 | 第56-57页 |
| ·聚合物 P4VPCz 电存储性能 | 第57-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 硝基苯偶氮咔唑功能基团烷基化对电存储性能影响的研究 | 第63-70页 |
| 摘要 | 第63页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-66页 |
| ·实验原料和试剂 | 第64页 |
| ·Azo-ps 合成步骤 | 第64-65页 |
| ·测试仪器 | 第65页 |
| ·器件制备 | 第65-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-69页 |
| ·聚合物 Azo-ps 结构表征 | 第66-67页 |
| ·聚合物 Azo-ps 电存储性能 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| ·本文总结 | 第70页 |
| ·展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读硕士学位期间整理及公开发表的论文 | 第78-79页 |
| 附录 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
