壳层掺杂硅纳米线的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·硅纳米线的结构性质 | 第9-16页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第9-11页 |
| ·硅纳米线的表面重构 | 第11-13页 |
| ·硅纳米线的表面钝化 | 第13-16页 |
| ·硅纳米线的电学性质 | 第16-22页 |
| ·纯硅纳米线的电学性质 | 第16-18页 |
| ·表面钝化硅纳米线的电学性质 | 第18-20页 |
| ·硅纳米线的掺杂和缺陷 | 第20-22页 |
| ·本篇论文的主要工作和结构安排 | 第22-24页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第24-32页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·密度泛函理论 | 第24-29页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第25-27页 |
| ·Kohn-Sham 定理 | 第27-29页 |
| ·交换关联泛函 | 第29-30页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第29-30页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第30页 |
| ·赝势 | 第30-31页 |
| ·计算工具介绍 | 第31-32页 |
| 第3章 壳层掺杂硅纳米线的第一性原理研究 | 第32-52页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第33-35页 |
| ·理论模型 | 第33页 |
| ·计算方法 | 第33-35页 |
| ·计算结果与讨论 | 第35-49页 |
| ·结构参数以及结构的稳定性 | 第35-40页 |
| ·能带结构 | 第40-43页 |
| ·自旋极化率 | 第43-45页 |
| ·磁矩 | 第45-46页 |
| ·电荷转移量 | 第46-48页 |
| ·差分电荷密度 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-52页 |
| 第4章 总结和展望 | 第52-54页 |
| ·工作总结 | 第52-53页 |
| ·研究展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 个人简介 | 第61-62页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第62页 |
