| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·闪存器件的研究背景 | 第9-12页 |
| ·闪存器件的发展趋势 | 第9页 |
| ·传统闪存器件的结构与工作原理简介 | 第9-10页 |
| ·纳米悬浮式栅极非易失性存储器(NFG-NVM)的研究与发展 | 第10-12页 |
| ·NFG-NVM存储器件的研究现状 | 第12页 |
| ·本文中栅控/隧穿层,纳米电荷存储单元材料的选择 | 第12-13页 |
| ·本文研究的目的、意义和内容 | 第13-16页 |
| 第二章 薄膜制备,微结构观测和性能表征方法简介 | 第16-21页 |
| ·常见薄膜制备方法简介 | 第16页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第16-17页 |
| ·薄膜形貌及微结构表征方法简介 | 第17-19页 |
| ·薄膜磁性测量和方法 | 第19-20页 |
| ·薄膜电学性能测量仪器与方法简介 | 第20-21页 |
| 第三章 HfAlO_x薄膜和Ag纳米微粒的制备与微结构观测 | 第21-25页 |
| ·薄膜沉积速率的标定 | 第21页 |
| ·HfAlO_x薄膜与Ag纳米微粒的制备 | 第21-22页 |
| ·HfAlO_x薄膜形貌,微结构与成分观测分析 | 第22-24页 |
| ·Ag纳米微粒形貌,微结构与成分观测分析 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第四章 掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜的电存储特性 | 第25-41页 |
| ·薄膜样品MOS/MIS电容器结构的制备 | 第25-26页 |
| ·掺Ag纳米微粒前后的HfAlO_x薄膜介电性能对比研究 | 第26-27页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜的电荷存储特性研究 | 第27-32页 |
| ·MOS电容器结构的C-V特性曲线 | 第27-30页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜MOS电容器结构电存储特性测量与分析 | 第30-31页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜MOS电容器结构的能带匹配图 | 第31-32页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜的电存储耐久与退化过程研究 | 第32页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜的电荷隧穿机理理解 | 第32-38页 |
| ·氧化物薄膜中电流隧穿机制简介 | 第33-35页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜MOS电容器结构电存储特性测量与分析 | 第35-36页 |
| ·缺陷辅助的F-P隧穿模型(Defects enhanced F-P tunneling model) | 第36-38页 |
| ·掺Ag纳米微粒HfAlO_x薄膜的电荷隧穿机理理解 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 HfAlO_x薄膜纳米磁性各向异性研究 | 第41-53页 |
| ·传统固体磁材料与分类简介 | 第41-42页 |
| ·无磁性掺杂薄膜中的纳米磁性简介 | 第42-43页 |
| ·铪基氧化物薄膜的缺陷导致的磁现象 | 第43-44页 |
| ·HfAlO_x薄膜纳米磁各向异性的测量与分析 | 第44-47页 |
| ·掺Ag纳米微粒的HfAlO_x薄膜纳米磁性 | 第47-48页 |
| ·HfAlO_x薄膜纳米磁各向异性的理论解释 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-66页 |
| 硕士期间发表论文及参加学术活动情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
