| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第8-24页 |
| ·ZnO的结构和性质 | 第8-15页 |
| ·ZnO的物理化学性质 | 第8页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·ZnO的半导体特性 | 第9-11页 |
| ·ZnO的机械性能 | 第11页 |
| ·ZnO的晶体力学性能 | 第11-12页 |
| ·ZnO的热学性能 | 第12-14页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第14页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状 | 第16-21页 |
| ·ZnO薄膜制备方法介绍 | 第16-17页 |
| ·择优取向ZnO薄膜的研究 | 第17-21页 |
| ·LNO薄膜的特性和研究现状 | 第21-22页 |
| ·本文的选题目的意义和主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 制备高度取向ZnO薄膜的磁控溅射表征和测试方法 | 第24-32页 |
| ·Si基(110)取向ZnO薄膜的生长机理 | 第24-25页 |
| ·LNO和ZnO薄膜生长方法 | 第25页 |
| ·磁控溅射镀膜原理 | 第25-26页 |
| ·LNO和ZnO薄膜的表征和测试手段 | 第26-32页 |
| ·X射线衍射(XRD)表征原理 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)表征原理 | 第28-29页 |
| ·漏电流测试原理 | 第29页 |
| ·四探针测试原理 | 第29-30页 |
| ·光致发光(PL)光谱测试原理 | 第30-32页 |
| 3 LNO薄膜的制备和性能研究 | 第32-40页 |
| ·LNO薄膜的制备 | 第32页 |
| ·工艺参数对LNO薄膜性能的影响 | 第32-38页 |
| ·退火对LNO薄膜性能的影响 | 第32-33页 |
| ·气体流量比对LNO薄膜性能的影响 | 第33-34页 |
| ·溅射功率对LNO薄膜性能的影响 | 第34-35页 |
| ·衬底材料对LNO薄膜性能的影响 | 第35-36页 |
| ·退火温度比对LNO薄膜电学性能的影响 | 第36-37页 |
| ·退火时间对LNO薄膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 ZnO/LNO/Si薄膜的制备和性能研究 | 第40-49页 |
| ·(002)ZnO/Si和(110)ZnO/LNO/Si薄膜的制备 | 第40页 |
| ·(002)ZnO/Si和(110)ZnO/LNO/Si薄膜的微结构表征 | 第40-43页 |
| ·溅射温度对(002)ZnO/Si和(110)ZnO/LNO/Si薄膜的XRD分析 | 第40-42页 |
| ·(002)ZnO/Si和(110)ZnO/LNO/Si薄膜的SEM分析 | 第42-43页 |
| ·(002)ZnO/Si和(110)ZnO/LNO/Si薄膜的电学性能 | 第43-45页 |
| ·电阻率 | 第43-44页 |
| ·漏电流 | 第44-45页 |
| ·(002)ZnO/Si和(110)ZnO/LNO/Si薄膜的光学性能 | 第45-47页 |
| ·溅射温度对(110)ZnO/LNO/Si薄膜的PL性能影响 | 第45-46页 |
| ·衬底材料对ZnO薄膜的PL性能影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
