| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| ·本课题的研究背景 | 第12-13页 |
| ·ZAO薄膜的概述 | 第13-18页 |
| ·ZAO薄膜的基本特性 | 第14页 |
| ·ZAO薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·ZAO薄膜的应用前景 | 第16-17页 |
| ·ZAO薄膜的研究现状 | 第17-18页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第18-22页 |
| ·溶胶—凝胶法基本原理 | 第18-19页 |
| ·溶胶—凝胶法制备薄膜的常用方法 | 第19-21页 |
| ·影响溶胶—凝胶工艺的参数 | 第21-22页 |
| ·选题意义及主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 样品的制备与合成 | 第24-28页 |
| ·反应原料 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24页 |
| ·合成工艺流程 | 第24-28页 |
| ·合成工艺流程图 | 第25页 |
| ·实验过程 | 第25-28页 |
| 3 ZAO薄膜的表征及性能分析 | 第28-48页 |
| ·X射线衍射结构分析 | 第28-33页 |
| ·薄膜的相组成 | 第28-30页 |
| ·铝掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第30-31页 |
| ·退火温度对薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| ·薄膜的扫描电镜(SEM)形貌分析 | 第33-36页 |
| ·溶胶浓度对薄膜形貌的影响 | 第33-35页 |
| ·退火温度对薄膜形貌的影响 | 第35-36页 |
| ·薄膜的电学性能分析 | 第36-40页 |
| ·ZAO薄膜的导电机制 | 第36-38页 |
| ·掺杂浓度对薄膜方块电阻的影响 | 第38-39页 |
| ·退火温度对薄膜方块电阻的影响 | 第39-40页 |
| ·薄膜的红外透过率的性能分析 | 第40-42页 |
| ·退火温度对薄膜8μm～14μm波段的红外透过率的影响 | 第40-41页 |
| ·退火温度对薄膜3μm～5μm波段的红外透过率的影响 | 第41-42页 |
| ·薄膜的红外发射率的性能分析 | 第42-46页 |
| ·红外隐身原理 | 第42-43页 |
| ·铝掺杂浓度对薄膜红外发射率的影响 | 第43-44页 |
| ·退火温度对薄膜红外发射率的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 4 结论和展望 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第48页 |
| ·展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 作者简历 | 第53-55页 |
| 学位论文数据集 | 第55页 |