| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第12-13页 |
| ·论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 谐振腔增强型光探测器(RCE-PD) | 第15-25页 |
| ·RCE光探测器的特性分析 | 第15-19页 |
| ·半导体光电效应 | 第15-16页 |
| ·RCE光探测器基本工作原理 | 第16-19页 |
| ·引入谐振腔对不同类型探测器性能的优化 | 第19-22页 |
| ·谐振腔增强型肖特基(Schottky)光探测器 | 第19-20页 |
| ·谐振腔增强型PIN光电探测器(RCE-PIN-PD) | 第20-21页 |
| ·谐振腔增强型雪崩光电探测器(RCE-APD) | 第21-22页 |
| ·谐振腔增强型金属-半导体-金属光探测器(RCE-MSM-PD) | 第22页 |
| ·RCE光探测器存在的问题及发展方向 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 低噪声、高频率响应雪崩光探测器 | 第25-39页 |
| ·雪崩光电探测器的特性参数 | 第25-31页 |
| ·APD的平均雪崩增益 | 第25-27页 |
| ·APD的过剩噪声 | 第27-29页 |
| ·暗电流 | 第29-30页 |
| ·光电转换效率 | 第30-31页 |
| ·引入带隙梯度结构的雪崩光电探测器 | 第31-34页 |
| ·引入带隙梯度结构的雪崩光电探测器特性分析 | 第31-33页 |
| ·引入带隙梯度结构的雪崩探测器的结构 | 第33-34页 |
| ·基于谐振腔的吸收区与倍增区相分离的雪崩光电探测器 | 第34-38页 |
| ·吸收区与倍增区相分离的谐振腔增强型雪崩光电探测器(RCE-SAM-APD) | 第34-36页 |
| ·高速、高增益带宽积的RCE-SAM-APD | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光电探测器的研究 | 第39-55页 |
| ·基于带隙梯度结构的RCE-SAM-APD结构的提出 | 第39-43页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As带隙梯度结构的引入及优化 | 第39-41页 |
| ·倍增区引入带隙梯度结构的RCE-SAM-APD的结构 | 第41-43页 |
| ·倍增区引入带隙梯度结构的RCE-SAM-APD的噪声特性分析 | 第43-46页 |
| ·倍增区引入带隙梯度结构的RCE-SAM-APD频率响应特性分析 | 第46-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 谐振腔粘合工艺的实验研究 | 第55-72页 |
| ·苯并环丁烯(BCB)树脂的特性研究及应用可行性分析 | 第55-64页 |
| ·BCB树脂特性及其在半导体器件制作工艺中的应用 | 第55-58页 |
| ·BCB树脂透光性分析 | 第58-60页 |
| ·BCB树脂粘合强度测试 | 第60页 |
| ·BCB树脂应用于RCE-PD制作工艺中的设想 | 第60-64页 |
| ·紫外胶的特性研究及应用可行性分析 | 第64-67页 |
| ·紫外胶的基本特性 | 第64页 |
| ·紫外胶在平顶陡边光探测器中的应用 | 第64-67页 |
| ·光电探测器的后工艺制作 | 第67-71页 |
| ·InP基PIN光探测器后工艺制作流程 | 第67-70页 |
| ·InGaAs/InP APD后工艺制备与InP基PIN后工艺制备的比较 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77页 |
