| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-22页 |
| ·等离子体的基本特征 | 第11-12页 |
| ·等离子体分类 | 第12页 |
| ·等离子体诊断方法概述 | 第12-20页 |
| ·静电探针法 | 第13页 |
| ·发射光谱法 | 第13-20页 |
| ·本文研究内容和目标 | 第20-22页 |
| 第2章 实验装置与方法 | 第22-35页 |
| ·实验装置简介 | 第22-25页 |
| ·等离子体产生系统 | 第22-25页 |
| ·光谱采集系统 | 第25页 |
| ·实验过程简述 | 第25-26页 |
| ·实验原理 | 第26-32页 |
| ·探针原理 | 第26-28页 |
| ·辐射态的粒子数布居和他们的辐射强度 | 第28-30页 |
| ·基态原子密度的计算 | 第30页 |
| ·电子激发温度计算 | 第30-32页 |
| ·实验参数附表 | 第32-35页 |
| 第3章 单质铜薄膜生长过程诊断 | 第35-44页 |
| ·探针诊断结果与讨论 | 第35-37页 |
| ·反应气压对电子温度等参量的影响 | 第35-36页 |
| ·射频功率对电子温度等参数的影响 | 第36-37页 |
| ·光谱诊断结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·溅射气压和射频功率对发射谱线强度的影响 | 第37-39页 |
| ·基态铜原子密度的计算 | 第39-41页 |
| ·对Cu~+/Cu的讨论 | 第41-42页 |
| ·电子激发温度的计算 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第4章 磁控溅射Ti_3Al薄膜过程中的辉光等离子体诊断 | 第44-61页 |
| ·气压和功率等放电宏观参数对光谱强度的影响 | 第44-49页 |
| ·气压对光谱强度的影响 | 第45-47页 |
| ·功率对光谱强度的影响 | 第47-49页 |
| ·基态原子密度的测量 | 第49-52页 |
| ·Al和Ti发射光谱强度的比率的计算 | 第49-50页 |
| ·溅射气压对基态原子密度的影响 | 第50-51页 |
| ·射频功率对基态原子密度的影响 | 第51-52页 |
| ·功率和气压宏观放电参数对电子激发温度的影响 | 第52-53页 |
| ·空间分辨光谱诊断 | 第53-57页 |
| ·放电空间的分区 | 第54页 |
| ·功率的影响 | 第54-56页 |
| ·压强的影响 | 第56-57页 |
| ·基片温度的影响 | 第57-60页 |
| ·基片温度对辐射谱线强度的影响 | 第57-58页 |
| ·基片温度对靶粒子基态原子密度的影响 | 第58-59页 |
| ·基片温度对电子激发温度的影响 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 结束语 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69页 |