微/纳机电谐振器特性研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·微/纳机电系统简介 | 第7-12页 |
| ·微/纳机电谐振器简介 | 第7-9页 |
| ·微/纳谐振器的典型结构 | 第9-10页 |
| ·微/纳谐振器驱动与信号检测 | 第10-12页 |
| ·半导体辐射效应简介 | 第12-14页 |
| ·辐射环境 | 第12-13页 |
| ·辐射对物质的损伤 | 第13页 |
| ·微/纳器件的辐照研究进展 | 第13-14页 |
| ·微/纳机电谐振器辐照研究意义 | 第14-15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 微纳谐振器工作原理 | 第17-36页 |
| ·谐振子动力学分析 | 第17-18页 |
| ·谐振器驱动 | 第18-22页 |
| ·谐振器检测 | 第22-29页 |
| ·压阻检测原理 | 第22-23页 |
| ·MOSFET检测原理 | 第23-29页 |
| ·微纳谐振器工作原理 | 第29-34页 |
| ·悬臂梁—质量块结构 | 第29-32页 |
| ·折叠梁质量块结构 | 第32-33页 |
| ·两端固支梁结构 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 微纳谐振器制作与测试 | 第36-54页 |
| ·微/纳谐振器制作 | 第36-38页 |
| ·微/纳谐振器测试结果 | 第38-52页 |
| ·悬臂梁质量块结构 | 第38-41页 |
| ·折叠梁质量块结构 | 第41-42页 |
| ·两端固支梁结构 | 第42-52页 |
| ·静态测试 | 第42-44页 |
| ·稳定性测试 | 第44-46页 |
| ·动态测试及差频检测电路 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 辐射对半导体损伤机制 | 第54-62页 |
| ·辐射粒子与物质的主要作用方式 | 第54-55页 |
| ·辐射对半导体的损伤机制 | 第55-56页 |
| ·电离效应 | 第55-56页 |
| ·位移效应 | 第56页 |
| ·电子、Γ射线在单晶硅中引发的缺陷 | 第56-59页 |
| ·电子的位移效应 | 第57-58页 |
| ·γ射线的位移效应 | 第58-59页 |
| ·位移缺陷的性质及对SI的影响 | 第59-61页 |
| ·位移缺陷的性质 | 第59-60页 |
| ·位移缺陷对材料性能的影响 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 微机械谐振器辐照实验结果及分析 | 第62-69页 |
| ·各粒子辐照实验条件及结果 | 第62-66页 |
| ·实验结果分析 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-72页 |
| ·本论文工作的总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
